• CMOS 集成電路制造中氧化工藝詳解

  在 CMOS 集成電路的復(fù)雜制造流程里，氧化工藝占據(jù)著舉足輕重的地位，其核心任務(wù)是在硅片表面培育二氧化硅層。這一過(guò)程如同為硅片精心披上一層防護(hù)鎧甲，而這層由二氧化硅構(gòu)成的 “鎧甲”，憑借絕緣、防護(hù)與隔離等特性，成為保障電路穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵要素。

  國(guó)芯制造

  493

  05/20 17:38

  CMOS
• 18VIN,0.5A 穩(wěn)壓LDO XZ6220

  產(chǎn)品概述 這款芯片采用CMOS工藝制造的低功耗，低壓差穩(wěn)壓芯片，最高輸入達(dá)18V。內(nèi)置固定的參考電壓源，誤差修正電路及相位補(bǔ)償電路，短路保護(hù)電路。具有高精度輸出電壓，極低的供電電流，低溫漂，極低的跌落電壓等特點(diǎn)。 產(chǎn)品特點(diǎn) ● 最高輸入電壓：18V ● 常規(guī)輸出電壓：1.5V-5.0V（具體電壓值請(qǐng)咨詢銷(xiāo)售） ● 輸出電壓精度：±2.0% ● 低壓差：11mV@10mA ● 驅(qū)動(dòng)電流：500mA ,VIN=4V,VOUT=3V ● 靜態(tài)電流：1.5uA ● 短路保護(hù)限制電流：50mA ● 封裝：SOT89-3,SOT23-3 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 電池等電源的供電設(shè)備, ● 家用電器產(chǎn)品 ● 個(gè)人通信設(shè)備。

  科芯創(chuàng)展

  240

  05/20 15:30

  CMOS 穩(wěn)壓芯片
• 適用于高頻功率應(yīng)用的 IXD2012NTR 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

  Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣部推出高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IXD2012NTR，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對(duì)高頻電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具有卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的設(shè)計(jì)靈活性。 IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓范圍內(nèi)工

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  342

  05/13 17:07

  驅(qū)動(dòng)器 CMOS

  
• 具備0.6μs過(guò)載恢復(fù)時(shí)間，納祥科技國(guó)產(chǎn)電子音量控制電路NX6805多用于音頻領(lǐng)域

  納祥科技 NX6805 是一款采用 CMOS 工藝技術(shù)制造、配合 NX68051專業(yè)解碼可實(shí)現(xiàn)音量調(diào)節(jié)控制的電路（音量 + - 靜音）。 芯片低噪聲，內(nèi)置低電壓、低功率的雙通道運(yùn)算放大器，還支持外接觸控芯片和數(shù)字編碼器來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。

  納祥科技

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  04/24 16:35

  CMOS 音量調(diào)節(jié)器

  
• 新系列串口EEPROM內(nèi)置唯一ID碼，適合設(shè)備識(shí)別、溯源和可持續(xù)性應(yīng)用

  意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一系列內(nèi)置128位唯一只讀ID碼 (UID) 的串口EEPROM芯片，以滿足市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品識(shí)別、溯源和維修的需求。 除了常規(guī)的用于存儲(chǔ)參數(shù)和數(shù)據(jù)的EEPROM用戶存儲(chǔ)空間外，只讀UID碼是在意法半導(dǎo)體工廠線上寫(xiě)入存儲(chǔ)器，并被永久鎖定。OEM廠商可以快速輕松地利用 UID 進(jìn)行基本的產(chǎn)品識(shí)別和克隆檢測(cè)，替代入門(mén)級(jí)的安全元件。UID還支持版本管理和升級(jí)控制。 新系列產(chǎn)品的存儲(chǔ)容

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  785

  04/22 13:20

  意法半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器

  

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