• CMOS有源晶振電壓詳解

  方波的平均電壓為高電平與低電平的中間值，但此方法無(wú)法反映真實(shí)峰峰值

  深圳揚(yáng)興科技有限公司

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  05/23 08:05

  晶振 CMOS

  
• CMOS 集成電路制造中氧化工藝詳解

  在 CMOS 集成電路的復(fù)雜制造流程里，氧化工藝占據(jù)著舉足輕重的地位，其核心任務(wù)是在硅片表面培育二氧化硅層。這一過(guò)程如同為硅片精心披上一層防護(hù)鎧甲，而這層由二氧化硅構(gòu)成的 “鎧甲”，憑借絕緣、防護(hù)與隔離等特性，成為保障電路穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵要素。

  國(guó)芯制造

  551

  05/20 17:38

  CMOS
• 18VIN,0.5A 穩(wěn)壓LDO XZ6220

  產(chǎn)品概述 這款芯片采用CMOS工藝制造的低功耗，低壓差穩(wěn)壓芯片，最高輸入達(dá)18V。內(nèi)置固定的參考電壓源，誤差修正電路及相位補(bǔ)償電路，短路保護(hù)電路。具有高精度輸出電壓，極低的供電電流，低溫漂，極低的跌落電壓等特點(diǎn)。 產(chǎn)品特點(diǎn) ● 最高輸入電壓：18V ● 常規(guī)輸出電壓：1.5V-5.0V（具體電壓值請(qǐng)咨詢銷售） ● 輸出電壓精度：±2.0% ● 低壓差：11mV@10mA ● 驅(qū)動(dòng)電流：500mA ,VIN=4V,VOUT=3V ● 靜態(tài)電流：1.5uA ● 短路保護(hù)限制電流：50mA ● 封裝：SOT89-3,SOT23-3 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 電池等電源的供電設(shè)備, ● 家用電器產(chǎn)品 ● 個(gè)人通信設(shè)備。

  科芯創(chuàng)展

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  05/20 15:30

  CMOS 穩(wěn)壓芯片
• 適用于高頻功率應(yīng)用的 IXD2012NTR 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

  Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣部推出高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IXD2012NTR，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對(duì)高頻電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具有卓越的開關(guān)性能和更高的設(shè)計(jì)靈活性。 IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓范圍內(nèi)工

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  05/13 17:07

  驅(qū)動(dòng)器 CMOS

  
• 具備0.6μs過(guò)載恢復(fù)時(shí)間，納祥科技國(guó)產(chǎn)電子音量控制電路NX6805多用于音頻領(lǐng)域

  納祥科技 NX6805 是一款采用 CMOS 工藝技術(shù)制造、配合 NX68051專業(yè)解碼可實(shí)現(xiàn)音量調(diào)節(jié)控制的電路（音量 + - 靜音）。 芯片低噪聲，內(nèi)置低電壓、低功率的雙通道運(yùn)算放大器，還支持外接觸控芯片和數(shù)字編碼器來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。

  納祥科技

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  04/24 16:35

  CMOS 音量調(diào)節(jié)器

  
• 新系列串口EEPROM內(nèi)置唯一ID碼，適合設(shè)備識(shí)別、溯源和可持續(xù)性應(yīng)用

  意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一系列內(nèi)置128位唯一只讀ID碼 (UID) 的串口EEPROM芯片，以滿足市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品識(shí)別、溯源和維修的需求。 除了常規(guī)的用于存儲(chǔ)參數(shù)和數(shù)據(jù)的EEPROM用戶存儲(chǔ)空間外，只讀UID碼是在意法半導(dǎo)體工廠線上寫入存儲(chǔ)器，并被永久鎖定。OEM廠商可以快速輕松地利用 UID 進(jìn)行基本的產(chǎn)品識(shí)別和克隆檢測(cè)，替代入門級(jí)的安全元件。UID還支持版本管理和升級(jí)控制。 新系列產(chǎn)品的存儲(chǔ)容

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  04/22 13:20

  意法半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器

  
• DRAM技術(shù)簡(jiǎn)單科普

  以下是關(guān)于?DRAM（Dynamic Random Access Memory）技術(shù)原理的詳細(xì)解析，涵蓋生產(chǎn)制造、Rank 與 Bank 內(nèi)部結(jié)構(gòu)、ODT 作用及讀寫方式和LPDRAM、DDR產(chǎn)品迭代。

  芯科技圈

  2463

  04/15 16:55

  CMOS TSV

  
• 德州儀器模擬設(shè)計(jì) | 運(yùn)算放大器基本穩(wěn)定性概述

  運(yùn)算放大器電路中常見的問(wèn)題之一是穩(wěn)定性。本文將解答有關(guān)穩(wěn)定性的三個(gè)重要問(wèn)題： 您需要多大的相位裕度才能實(shí)現(xiàn)可靠的設(shè)計(jì)？ 如何補(bǔ)償不穩(wěn)定的電路？ 對(duì)于穩(wěn)定性問(wèn)題，有哪些直接替代式解決方案？ 您需要多大的相位裕度？ 運(yùn)算放大器環(huán)路穩(wěn)定性是通過(guò)相位裕度測(cè)量的，相位裕度是當(dāng)輸出閉環(huán)增益低于單位增益時(shí)輸出信號(hào)相移相對(duì)于 360 度的差值。每個(gè)運(yùn)算放大器（例如主極點(diǎn)）都固有一定的偏移，而額外的偏移則取決于應(yīng)用

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  939

  04/08 17:45

  CMOS 運(yùn)算放大器

  
• CMOS可靠性測(cè)試新趨勢(shì)：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動(dòng)下，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。 引言 對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)

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  04/08 08:40

  CMOS 模擬電路

  
• 飛凌微推出AIoT應(yīng)用系列高性能端側(cè)視覺AI SoC芯片A1

  技術(shù)先進(jìn)的智能視覺處理芯片廠商飛凌微電子（Flyingchip?，思特威子公司，股票代碼688213，以下簡(jiǎn)稱“飛凌微”)近日宣布，正式推出AIoT應(yīng)用系列首款高性能端側(cè)視覺AI SoC芯片 —— A1。新品A1搭載了高性能AI ISP、0.8TOPS@INT8輕算力自研NPU、1Gb DDR3L內(nèi)存等模塊，集優(yōu)異的圖像處理性能和端側(cè)處理運(yùn)算效率、低功耗、小封裝尺寸等性能優(yōu)勢(shì)于一身。此外，A1可適

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  03/07 08:26

  AIoT 圖像傳感器

  
• 淺談圖像傳感器（二）--讀者回復(fù)

  上次提到image sensor的創(chuàng)新思路主要分為新材料體系、新電路設(shè)計(jì)和架構(gòu)，新物理機(jī)制，新功能設(shè)計(jì)，當(dāng)然還有新器件設(shè)計(jì)等幾個(gè)方面。在創(chuàng)新上，學(xué)術(shù)界一般比較腦洞大，各種奇思妙想都有。

  Semlsee

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  03/01 10:05

  圖像傳感器 CMOS

  
• 淺談圖像傳感器和光電探測(cè)器(三)-微光探測(cè)上

  光電探測(cè)器一方面往多功能，智能化方向發(fā)展，智能化比如事件驅(qū)動(dòng)，感存算架構(gòu)，多功能比如多光譜，偏振探測(cè)。另外一方面向著高性能方面發(fā)展，寬光譜，高靈敏度，高速度?？梢哉f(shuō)對(duì)智能化的追求是從目的出發(fā)的，整體系統(tǒng)考慮下的性價(jià)比最優(yōu)。智能化的設(shè)計(jì)可以降低對(duì)器件性能方面的要求。而對(duì)性能的苛求是研發(fā)人員針對(duì)材料，器件，電路的技挑戰(zhàn)的直面。

  Semlsee

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  03/01 07:58

  圖像傳感器 CMOS
• 思特威與晶合集成簽署深化戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推進(jìn)國(guó)產(chǎn)CIS發(fā)展

  思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱：思特威，股票代碼：688213）宣布，思特威（上海）電子科技股份有限公司董事長(zhǎng)徐辰博士于2月24日接待了到訪的合肥晶合集成電路股份有限公司董事長(zhǎng)蔡國(guó)智先生一行，雙方就全新合作目標(biāo)進(jìn)行了深入交流，并現(xiàn)場(chǎng)簽署了長(zhǎng)期深化戰(zhàn)略合作協(xié)議。本次協(xié)議簽署標(biāo)志著思特威與晶合集成邁入了全方位、深層次的升級(jí)合作階段。雙方將整合優(yōu)勢(shì)資源，以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，以產(chǎn)業(yè)升級(jí)為目標(biāo)，

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  02/27 08:17

  CMOS 傳感技術(shù)

  
• 磁阻開關(guān)DT7801在停車檢測(cè)中的應(yīng)用

  磁阻開關(guān)DT7801在停車檢測(cè)中具有顯著的應(yīng)用價(jià)值。以下是對(duì)其應(yīng)用的詳細(xì)分析： 一、DT7801磁阻開關(guān)概述 DT7801是一款集成了隧道磁阻（TMR）技術(shù)和CMOS技術(shù)的磁開關(guān)傳感器，具有高精度、高速、低功耗、高靈敏度等特性。它適用于工業(yè)類電子、消費(fèi)類電子等磁場(chǎng)開關(guān)檢測(cè)，特別適用于需要低功耗和高靈敏度的應(yīng)用場(chǎng)景。 二、DT7801在停車檢測(cè)中的應(yīng)用原理 DT7801磁阻開關(guān)能夠檢測(cè)平行于芯片封裝

  無(wú)錫迪仕科技

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  02/22 15:34

  CMOS 傳感技術(shù)
• 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

  作者：Edwin Omoruyi，高級(jí)應(yīng)用工程師 摘要 本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。 簡(jiǎn)介 人工智能(AI)應(yīng)用對(duì)高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長(zhǎng)，芯片設(shè)計(jì)因此

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  02/19 16:10

  開關(guān)電源 ADI

  
• 貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第四季度推出超過(guò)10,000個(gè)新物料

  致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自1,200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。 2024年，貿(mào)澤總共推出了超過(guò)32,000個(gè)物料，第四季度引入了超過(guò)10,000個(gè)。貿(mào)澤于2024年10月至12月引入的新品包括： ·

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  1197

  01/24 08:24

  貿(mào)澤電子 usb

  
• 加特蘭CEO陳嘉澍博士榮獲“2024年度IC設(shè)計(jì)業(yè)年度企業(yè)家提名”稱號(hào)

  2024年12月11日至12日，上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD-Expo 2024）在上海世博展覽館舉行。全球毫米波雷達(dá)芯片領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新者加特蘭應(yīng)邀出席大會(huì)，在閉幕晚宴上，加特蘭創(chuàng)始人兼CEO陳嘉澍博士榮獲“2024年度IC設(shè)計(jì)業(yè)年度企業(yè)家提名”稱號(hào)，成為當(dāng)晚僅有的獲此殊榮的三位企業(yè)家代表之一。 加特蘭創(chuàng)新引領(lǐng)CMOS毫米波雷達(dá)技術(shù)發(fā)展 歷經(jīng)多年發(fā)

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  1899

  2024/12/13

  CMOS 毫米波雷達(dá)

  
• CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)流程

  CMOS模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程是一個(gè)復(fù)雜而系統(tǒng)的過(guò)程，從系統(tǒng)規(guī)格定義到最終的芯片測(cè)試和驗(yàn)證，每個(gè)步驟都需要精心設(shè)計(jì)和反復(fù)驗(yàn)證。每個(gè)環(huán)節(jié)之間都有密切的關(guān)聯(lián)，設(shè)計(jì)師需要具備深厚的電路理論知識(shí)、工藝?yán)斫夂虴DA工具使用經(jīng)驗(yàn)。

  老虎說(shuō)芯

  2782

  2024/11/15

  CMOS 集成電路設(shè)計(jì)

  
• 晶振PF是什么意思呢？

  晶振30PF所指得是外掛電容30PF，一般情況下，無(wú)源晶振的負(fù)載電容最大選項(xiàng)為20PF。PF是電容單位，卻常出現(xiàn)在無(wú)源晶振實(shí)際應(yīng)用中。因?yàn)殡娙荽笮〉倪x擇可以直接影響到無(wú)源晶振的起振時(shí)間、輸出頻率精度及頻率穩(wěn)定性。

  深圳揚(yáng)興科技有限公司

  1974

  2024/10/22

  晶振 CMOS

  
• 【“源”察秋毫系列】柔性可穿戴電子設(shè)備材料的導(dǎo)電測(cè)試

  柔性可穿戴電子設(shè)備主要由柔性壓阻傳感器材料、柔性傳感器框架、電極連接、信號(hào)采集和處理電路組成。 其中最重要的部分就是對(duì)柔性壓阻傳感器材料的測(cè)試，對(duì)于用于制造壓阻式傳感器的材料 , 需要全面評(píng)估其電學(xué)、機(jī)械、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和環(huán)境穩(wěn)定性等多方面性能指標(biāo) , 以確保材料能夠滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。 對(duì)于柔性材料，其中電學(xué)需要測(cè)試其導(dǎo)電性能，測(cè)試材料的電導(dǎo)率和電阻率，和材料中導(dǎo)電填料的分散性和接觸性能，材料的電導(dǎo)率

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  1364

  2024/10/18

  傳感器 CMOS

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