• 干法刻蝕技術(shù)深度解析：原理、特性與應(yīng)用

  干法刻蝕是半導(dǎo)體制造等精密加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其原理是將硅片表面暴露于氣態(tài)等離子體中，等離子體通過(guò)光刻膠窗口，與硅片發(fā)生物理、化學(xué)或二者兼有的反應(yīng)，從而去除暴露的表面材料。這種技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)重要地位。

  國(guó)芯制造

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  05/09 11:50

  干法刻蝕

  
• 干法刻蝕后為什么要清洗？

  學(xué)員問(wèn)：用于銅互聯(lián)的大馬士革工藝，在刻蝕介質(zhì)后為什么要用清洗液清洗，主要是洗去什么物質(zhì)？雙大馬士革工藝的步驟？

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  02/11 08:50

  干法刻蝕 PCBA清洗機(jī)
• 干法刻蝕使用脈沖電源的好處？

  學(xué)員問(wèn)：相對(duì)于連續(xù)波的電源模式，脈沖模式的優(yōu)勢(shì)有哪些？什么是脈沖與連續(xù)波電源模式？

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  01/20 14:43

  脈沖電源 干法刻蝕

  
• 干法刻蝕工藝參數(shù)匯總

  學(xué)員問(wèn)：干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？1，溫度：晶圓表面溫度，溫度梯度。晶圓表面溫度：控制刻蝕表面的化學(xué)反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性。溫度梯度：晶圓表面不同區(qū)域的溫度由于加熱器分布不均可能會(huì)有差異，導(dǎo)致局部區(qū)域刻蝕速率不同，從而影響刻蝕均勻性。

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  2024/12/02

  干法刻蝕

  
• 干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

  知識(shí)星球里的學(xué)員問(wèn)：刻蝕時(shí)經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)側(cè)壁彎曲的現(xiàn)象，想問(wèn)下是什么原因？什么是側(cè)壁彎曲？如上圖，是典型的干法刻蝕時(shí)，側(cè)壁彎曲的樣子，側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的，角度接近 90°。

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  2024/12/02

  干法刻蝕

  
• 晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響？

  學(xué)員問(wèn)：溫度能影響干法刻蝕的哪些方面？麻煩講一講表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。

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  2024/11/28

  晶圓制造 干法刻蝕
• SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理

  學(xué)員問(wèn)：干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過(guò)程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為：?SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g)CxFy是來(lái)自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學(xué)刻蝕。

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  2024/11/27

  刻蝕工藝 干法刻蝕

  
• 5nm已量產(chǎn)，3nm還會(huì)遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司

  晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20

  王兵

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  2024/11/12

  與非研究院 CVD

  
• 一個(gè)好的干法刻蝕結(jié)果是什么樣的？

  學(xué)員問(wèn)：干法刻蝕后的刻蝕效果怎么來(lái)評(píng)價(jià)？要考慮哪些方面？1，對(duì)不需要刻蝕的材料具有高選擇比不需要刻蝕的材料一般是硬掩模，光刻膠或下層材料。選擇比是指刻蝕目標(biāo)材料相對(duì)于保護(hù)層或下層材料的速率比。選擇比越高，掩模和下層材料損耗的越少。

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  2024/08/04

  干法刻蝕
• 干法刻蝕工藝中DC自偏壓的作用？

  學(xué)員問(wèn)：DC自偏壓是如何產(chǎn)生的？有什么作用？如何測(cè)量？

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  2024/07/24

  刻蝕工藝 干法刻蝕
• 揭秘半導(dǎo)體制造全流程（中篇）

  在《揭秘半導(dǎo)體制造全流程（上篇）》?中，我們給大家介紹了晶圓加工、氧化和光刻三大步驟。本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/07/26

  半導(dǎo)體制造 干法刻蝕
• 光刻的兩種基本方法介紹

  前面我們聊到光刻是將圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體硅片表面的光刻膠上的過(guò)程。

  Disciple

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  2019/12/02

  硅片 光刻膠
• 干法刻蝕

  干法刻蝕是一種常見(jiàn)的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子器件、傳感器等領(lǐng)域。通過(guò)使用化學(xué)氣相刻蝕劑，將材料表面進(jìn)行精確刻蝕，實(shí)現(xiàn)微小結(jié)構(gòu)的制備。

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  2024/11/13

  干法刻蝕
• 一文介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、評(píng)價(jià)參數(shù)及應(yīng)用

  干法刻蝕是一種常見(jiàn)的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、集成電路生產(chǎn)、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造等領(lǐng)域。本文將介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、重要評(píng)價(jià)參數(shù)以及在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。

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  04/02 12:36

  刻蝕工藝 干法刻蝕
• RIE干法刻蝕的原理、工藝流程、評(píng)價(jià)參數(shù)及應(yīng)用

  RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術(shù)，通過(guò)等離子體中的活性物質(zhì)對(duì)材料表面進(jìn)行選擇性刻蝕，以達(dá)到精確移除材料的目的。

  老虎說(shuō)芯

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  01/15 18:00

  刻蝕工藝 干法刻蝕
• 干法刻蝕的負(fù)載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制

  在電子半導(dǎo)體工業(yè)中，干法刻蝕是一種常見(jiàn)的加工技術(shù)。然而，干法刻蝕過(guò)程中可能出現(xiàn)的負(fù)載效應(yīng)是需要認(rèn)真對(duì)待的問(wèn)題。本文將介紹負(fù)載效應(yīng)產(chǎn)生的原因、可能引發(fā)的危害以及如何有效抑制這一現(xiàn)象。

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  2024/11/06

  刻蝕工藝 干法刻蝕

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