知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問：用于銅互聯(lián)的大馬士革工藝，在刻蝕介質(zhì)后為什么要用清洗液清洗，主要是洗去什么物質(zhì)？

雙大馬士革工藝的步驟？

芯片的后段支撐主要是銅互聯(lián)，而銅互聯(lián)一般是用雙大馬士革工藝來做，下圖是雙大馬士革工藝的流程圖：

其中在步驟A，C均會(huì)有低k介質(zhì)刻蝕的步驟。

雙大馬士革工藝刻蝕步驟后的副產(chǎn)物？

28nm工藝節(jié)點(diǎn)之前與之后的副產(chǎn)物不太相同，因?yàn)?8nm以內(nèi)的節(jié)點(diǎn)，為了保證刻蝕的準(zhǔn)確性引入了TiN硬掩模。

沒有引入TiN時(shí)，副產(chǎn)物為[SiFmO2-m/2]n，[CuOm/2X2-m]n，CuO引入TiN硬掩模后，副產(chǎn)物為[TiNmX4-4m]n?，[SiFmO2-m/2]n，???[CuOm/2X2-m]n?，CuO如圖：

這些副產(chǎn)物在刻蝕后會(huì)附著在溝槽內(nèi)，造成后續(xù)的工藝問題，因此需要清洗干凈。

清洗注意事項(xiàng)？

由于清洗液一般是酸，堿或加入有氧化劑，會(huì)對(duì)金屬有腐蝕，因此應(yīng)保證選用的清洗液對(duì)Cu、SiON、TEOS，W等腐蝕最小，對(duì)TiN，光刻膠等去除速率最大。

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