知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學(xué)員問：干法刻蝕后的刻蝕效果怎么來評價？要考慮哪些方面？

1，對不需要刻蝕的材料具有高選擇比不需要刻蝕的材料一般是硬掩模，光刻膠或下層材料。選擇比是指刻蝕目標(biāo)材料相對于保護層或下層材料的速率比。選擇比越高，掩模和下層材料損耗的越少。

2，盡可能高的刻蝕速率刻蝕速率指的是單位時間內(nèi)材料被去除的厚度。適當(dāng)?shù)目涛g速率能夠確保制造過程的效率，同時滿足生產(chǎn)需求。但是過高的速率會導(dǎo)致刻蝕不均勻，而過低的速率會影響產(chǎn)能。因此要在保證質(zhì)量的情況下，盡可能提高刻蝕速率。

3，側(cè)壁剖面控制良好

如上圖，在刻蝕過程中，會出現(xiàn)各類的截面形狀，好的刻蝕截面一般要求刻蝕后的側(cè)壁垂直且光滑，這樣可以確保設(shè)計尺寸的精確性，避免影響到器件性能。4，片內(nèi)均勻性好

片內(nèi)均勻性可以用標(biāo)準(zhǔn)偏差來表示，見文章：薄膜沉積的均勻性怎么計算？

良好的片內(nèi)均勻性能夠確保所有器件的特性一致，避免因不均勻刻蝕導(dǎo)致的電性能差異和良率降低。5，晶圓表面形貌好粗糙度低，顆粒少，化學(xué)殘留少，凹坑、裂紋、針孔、劃痕等少。6，掩模去除容易7，刻蝕尺寸在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)

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