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刻蝕工藝

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把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經(jīng)過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應(yīng)進行刻蝕。

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經(jīng)過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應(yīng)進行刻蝕。收起

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  • 什么是晶邊刻蝕（Bevel Etch）工藝？
    在介紹Bevel Etch工藝前，先簡單介紹薄膜工藝：化學氣相沉積（Chemical vapor deposition，CVD）是通過氣體混合的化學反 應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被加熱起來向反 應(yīng)系統(tǒng)提供附加能量。當化合物在反應(yīng)腔中混合并進行反應(yīng)時，就會發(fā)生化學氣相沉積過程。原子或分子會沉積在硅片表面成膜，下圖展示了化學氣相成膜過程。
  • 原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）詳解
    原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù)，其特點是以單原子層為單位，逐步去除材料表面，從而實現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD（原子層沉積）相對，一個是逐層沉積材料，一個是逐層去除材料。
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    01/16 08:39
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  • 半導體濕法刻蝕有多少工藝要求
    半導體濕法刻蝕工藝要求涉及多個方面，那么想要大家一口氣說完肯定不科學。為了讓大家系統(tǒng)充分的了解與明白，我們給大家準備 下面的詳細資料解釋：
  • 等離子體刻蝕和濕法刻蝕的區(qū)別
    等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點及適用范圍都有很大的不同。
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  • 后段刻蝕工藝（BEOL ETCH）詳解
    “后段刻蝕工藝（Back-End of Line ETCH，簡稱BEOL ETCH）”作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié)，其復雜性與重要性毋庸置疑。BEOL是指從金屬互連開始的晶圓制造階段，主要包括金屬布線、鈍化層沉積及相關(guān)圖形刻蝕。BEOL ETCH是針對這些材料和結(jié)構(gòu)的精確圖形化過程，用以實現(xiàn)導線、過孔（Via）等功能結(jié)構(gòu)。
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  • 濕法刻蝕是什么意思
    濕法刻蝕是一種利用化學溶液對材料進行選擇性去除的技術(shù)。具有優(yōu)良的選擇性，能夠精確地控制刻蝕過程，只對目標材料進行刻蝕，而不會損壞下層材料。
  • 什么是原子層刻蝕（ALE）？
    學員問：聽說過ALD，但是很少聽過ALE，麻煩講解下ALE的原理ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應(yīng)，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個循環(huán)只刻蝕一層原子。
  • 射頻電源的頻率對刻蝕有什么影響？
    學員問：干法刻蝕中，射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果都有哪些影響？什么是RF的功率與頻率？RF功率（RF Power）,是指射頻電源提供給等離子體系統(tǒng)的能量大小，用于等離子體的產(chǎn)生和穩(wěn)定,通常以瓦特（W）為單位。RF頻率（RF Frequency）,是指射頻電場的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。
  • 晶圓刻蝕工藝中的Qtime管控
    Qtime管控（Queue Time Control）是半導體制造過程中一個重要的和效率管理環(huán)節(jié)，尤其在刻蝕工藝（ETCH）中顯得尤為重要。
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    2024/12/10
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    學員問：干法刻蝕SiO2的化學方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學方程式？以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為：?SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g)CxFy是來自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學刻蝕。
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  • 刻蝕角度與ICP-RIE射頻功率的關(guān)系？
    學員問：用ICP-RIE刻蝕接觸孔工藝中中，側(cè)壁的角度與射頻功率關(guān)系大不大？如何通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)節(jié)側(cè)壁角度？什么是刻蝕的側(cè)壁角度？
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    本篇匯集了關(guān)于光刻工藝、晶圓制造相關(guān)崗位，以及FPGA工程師面試時的常見問題。且在持續(xù)更新中……? 切記收藏哦！
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  • 晶圓制造刻蝕工藝面試常見問題
    請解釋刻蝕工藝的基本原理以及在半導體制造中的重要性。在選擇刻蝕工藝時，如何確定是使用干法刻蝕還是濕法刻蝕？請描述RIE（反應(yīng)離子刻蝕）工藝的工作原理和應(yīng)用場景。
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  • PCB常見的蝕刻方式有哪些
    PCB（Printed Circuit Board，印刷電路板）的常見蝕刻方式包括以下幾種： 化學蝕刻：化學蝕刻是最常見的 PCB 蝕刻方式。通過將 PCB 放入腐蝕劑中（如氯化鐵溶液），腐蝕掉未被光刻膜保護的銅層，從而形成所需的導線圖案。 干蝕刻：干蝕刻是使用等離子體或激光切割 PCB 板材，去除不需要的銅層的過程。這種方法通常速度更快，但也更昂貴。 激光蝕刻：激光蝕刻是使用激光束直接蝕刻 PC
  • 刻蝕工藝
    刻蝕工藝是一種重要的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導體制造、光學器件制造、集成電路生產(chǎn)等領(lǐng)域。通過控制化學溶液或等離子體對材料表面的侵蝕或剝離，實現(xiàn)對微細結(jié)構(gòu)的加工和制備。刻蝕工藝在現(xiàn)代科技和工程中扮演著至關(guān)重要的角色，對微電子器件、傳感器、光學元件等的制造起著關(guān)鍵作用。
  • 一文介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、評價參數(shù)及應(yīng)用
    干法刻蝕是一種常見的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導體制造、集成電路生產(chǎn)、MEMS（微機電系統(tǒng)）制造等領(lǐng)域。本文將介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、重要評價參數(shù)以及在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。
  • RIE干法刻蝕的原理、工藝流程、評價參數(shù)及應(yīng)用
    RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導體制造中不可或缺的核心工藝。RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術(shù)，通過等離子體中的活性物質(zhì)對材料表面進行選擇性刻蝕，以達到精確移除材料的目的。

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