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MRF6V12250HR3, MRF6V12250HSR3 960-1215 MHz, 275 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6V12250HR3, MRF6V12250HSR3 960-1215 MHz, 275 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. These devices are suitable for use in pulsed applications.

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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