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MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2023/04/25
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MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 1030 and 1090 MHz, 1% to 20% duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.

恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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