三星電子代工部門最近深陷負(fù)面?zhèn)髀勚?。先是有消息稱涉嫌偽造并虛報(bào) 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率，讓高通等 VIP 客戶不得不另投臺(tái)積電，近日又被黑客竊走 200GB 數(shù)據(jù)。

不過(guò)從技術(shù)上來(lái)看，三星依然是唯一一家能夠緊跟臺(tái)積電的晶圓代工廠，而且三星在接下來(lái)的 3nm 節(jié)點(diǎn)上將更加激進(jìn)，并想要在全球首次推出 GAA 晶體管工藝，放棄 FinFET 晶體管工藝（臺(tái)積電 3nm 工藝仍將基于 FinFET 工藝）。

三星正計(jì)劃在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工藝的質(zhì)量評(píng)估。據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星已經(jīng)準(zhǔn)備好在韓國(guó)平澤市的 P3 工廠開工建設(shè) 3nm 晶圓廠，計(jì)劃于 6、7 月份動(dòng)工，并及時(shí)導(dǎo)入設(shè)備。

根據(jù)三星的說(shuō)法，與 7nm 制造工藝相比，3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了約 35%，紙面參數(shù)上來(lái)說(shuō)卻是要優(yōu)于臺(tái)積電 3nm FinFET 工藝。

三星代工是三星的代工芯片制造業(yè)務(wù)部門，此前有消息稱其目前正在與客戶一起進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)和批量生產(chǎn)的質(zhì)量測(cè)試。該業(yè)務(wù)部門的目標(biāo)是擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，在 3nm GAA 領(lǐng)域獲得“世界第一”的稱號(hào)。然而三星能否在 3nm 的性能和產(chǎn)能上滿足客戶的要求還有待觀察。

韓國(guó)遠(yuǎn)大證券的數(shù)據(jù)顯示，截至 2020 年，三星 Foundry 擁有的專利僅為 7000- 10000 項(xiàng)，而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電已獲得約 3.5 萬(wàn)至 3.7 萬(wàn)項(xiàng)專利。因此，業(yè)界認(rèn)為三星認(rèn)為缺乏 3nm 相關(guān)專利，這可能是個(gè)問(wèn)題。

記者了解到，三星旗下 Galaxy 設(shè)備被黑客攻破，近 200GB 數(shù)據(jù)信息泄露，涉及合作伙伴高通機(jī)密數(shù)據(jù)，數(shù)億名 Galaxy 設(shè)備用戶正在面臨著新的潛在安全風(fēng)險(xiǎn)，引起業(yè)界關(guān)注。

除此之外，韓國(guó)媒體此前還報(bào)道稱，三星高管可能在試產(chǎn)階段捏造了其 5nm 以下工藝的芯片良率，以抬高三星代工業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。隨后，三星啟動(dòng)了對(duì)原本計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)能和保證良率的資金下落的調(diào)查，進(jìn)一步了解半導(dǎo)體代工廠產(chǎn)量和良率情況。

據(jù)三星內(nèi)部官員透露，“由于晶圓代工廠交付的數(shù)量難以滿足代工訂單需求，公司對(duì)非內(nèi)存工藝的良率表示懷疑，事實(shí)上基于該良率是可以滿足訂單交付的。”另有業(yè)內(nèi)人士透露，在三星為高通生產(chǎn)的驍龍 4nm 制程芯片中，良品率僅為 35%，并且三星自研的 4nm 制程 SoC 獵戶座 2200 的良率更低。

來(lái)源：C114通信網(wǎng)
作者：?jiǎn)栔?/span>