據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線。預計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對提高收益率的信心。

1c DRAM也是將應用于三星電子“HBM4（第六代高帶寬存儲器）”的關鍵產(chǎn)品。有分析認為，三星電子在最新HBM的商業(yè)化上遇到困難，目前正表現(xiàn)出積極的量產(chǎn)意愿。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士5月22日透露，三星電子計劃今年下半年在華城市和平澤地區(qū)投資增加1c DRAM產(chǎn)能。

今年早些時候，三星電子開始在其平澤第四園區(qū)（P4）建設第一條1c DRAM量產(chǎn)線。當時投資規(guī)模較小，為每月3萬張。三星電子一直奉行先做好1c DRAM初期量產(chǎn)的準備，以后再根據(jù)產(chǎn)品開發(fā)進度擴大投資的戰(zhàn)略。

目前三星電子正在商談追加投資，擴大今年下半年P4工廠的1c DRAM產(chǎn)能，預計規(guī)模至少達到每月4萬張。

此外，預計最早將于今年年底在Mars 17號線進行1c DRAM的轉(zhuǎn)換投資。據(jù)了解，該公司目前正在制定內(nèi)部計劃，并與合作伙伴進行詳細討論。

三星電子華城17號線是一條主要生產(chǎn)1z（10納米級第三代）DRAM的生產(chǎn)線。?DRAM屬于傳統(tǒng)工藝，產(chǎn)量正在快速減少。三星電子已投資將1b DRAM轉(zhuǎn)換為位于附近華城市的15號和16號生產(chǎn)線。

三星電子決定在其華城和平澤工廠具體化1c DRAM投資計劃，這反映出其對提高產(chǎn)量的信心。

一位半導體業(yè)內(nèi)人士表示：“三星電子內(nèi)部對1c DRAM良率的提升給予了積極的評價。目標是在第三季度獲得重新設計產(chǎn)品的內(nèi)部量產(chǎn)批準（PRA）”。他補充道，“即使在PRA之后，實際量產(chǎn)仍有許多問題需要解決，但設施投資計劃正在穩(wěn)步推進。”

1c DRAM是三星電子計劃最早在今年年底量產(chǎn)的最新一代DRAM。這種?DRAM?對三星電子如此重要的原因在于其在?HBM?領域的領導地位。與?SK?海力士和美光等主要競爭對手為?HBM4?采用?1b DRAM?不同，三星電子決定為?HBM4?應用?1c DRAM。

通過這種方式，三星電子可能會顯著提高核心芯片的性能，這是HBM?性能的關鍵要素。另一方面，由于技術難度較高，也存在降低產(chǎn)品良率的局限性。由于這是可以改變現(xiàn)狀的大膽挑戰(zhàn)，因此三星電子正在通過比草案增加1c DRAM的芯片尺寸來補充穩(wěn)定性。