核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實(shí)體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報(bào)告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取

上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開關(guān)性能。

IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。

首先，在英飛凌已經(jīng)商業(yè)化的IGBT7產(chǎn)品中，不同的IGBT7系列分布在不同的電壓等級中：

■??650V:T7,H7

■??1200V:S7,H7,T7,E7,P7

■??1700V:E7,P7

■??2300V:E7

在同一電壓級中，以1200V為例，我們可以按開關(guān)速度來進(jìn)行排序，H7>S7>T7>E7>P7

■??H7是高速芯片，面向開關(guān)頻率較高的光伏、充電樁等應(yīng)用，Vcesat?1.7V；

■??S7是快速芯片，能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)速度的最佳平衡，Vcesat?1.65V；

■??T7芯片小功率單管和模塊，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，用在Easy,Econo等封裝，Vcesat?1.55V；

■??E7是芯片是為中功率模塊產(chǎn)品開發(fā)，導(dǎo)通壓降1.5V，用于EconoDUAL?,62mm等封裝中；

■??P7是芯片是為大功率模塊產(chǎn)品開發(fā)，導(dǎo)通壓降 1.27V，用于PrimPACK?模塊中；
下面，我們按單管和模塊兩個(gè)系列，從實(shí)用的角度闡述一下各類產(chǎn)品的特性。

單管系列T7，PR7，S7，H7解析 ?

按短路能力，IGBT7分為具有短路能力的650V T7和1200V S7，這兩者適用于開關(guān)頻率要求不太高，但可能有短路工況的應(yīng)用，比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)。沒有短路能力的IGBT7有650V H7和1200V H7，進(jìn)一步降低了飽和壓降和開關(guān)損耗，適用于光伏，ESS，EVC等對開關(guān)頻率和效率要求比較高的場合。

650V T7單管和1200V S7單管產(chǎn)品目錄如下，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)類應(yīng)用，導(dǎo)通損耗較低的同時(shí)，也能保持較快的開關(guān)速度，同時(shí)具有短路能力，是各方面性能非常均衡的芯片系列。

650V T7單管和1200V S7單管產(chǎn)品目錄如下，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)類應(yīng)用，導(dǎo)通損耗較低的同時(shí)，也能保持較快的開關(guān)速度，同時(shí)具有短路能力，是各方面性能非常均衡的芯片系列。

單管H7系列產(chǎn)品目錄：

H7芯片雖然不具備短路時(shí)間，但它可以說是把開關(guān)性能做到了極致。與廣受好評的TRENCHSTOP?5芯片相比，H7的電壓范圍拓展到了1200V，而TRENCHSTOP?5只有650V的產(chǎn)品。H7的飽和導(dǎo)通電壓Vcesat比H5降低達(dá)25%，比S5也低了3%。開關(guān)損耗方面，H7的Eon相對于H5降低了77%，相對于S5降低了54%；而H7的Eoff相對于H5降低了20%，相對于S5降低了27%。所以總體來說，H7整體的開關(guān)損耗（Eon+Eoff），還是要比H5和S5更低。