核心觀點(diǎn)

受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年；

得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來(lái)持續(xù)的庫(kù)存消耗，存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求；

受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。

三大維度解讀存儲(chǔ)器件最新供需動(dòng)態(tài)

市場(chǎng)需求分析

5月，四方維商品動(dòng)態(tài)商情存儲(chǔ)需求指數(shù)環(huán)比上升8.12%，同比下降-27.34%。

2025Q1 SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，以36.7%份額登頂DRAM市場(chǎng)，終結(jié)三星40年統(tǒng)治地位。

2025Q1全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模267.29億美元（同比+42.5%，環(huán)比-8.5%）。

SK海力士/美光DRAM銷售額環(huán)比微跌，三星因HBM銷售不佳拖累三星整體DRAM表現(xiàn)。

工業(yè)需求回暖帶動(dòng)南亞科技和華邦電子DRAM銷售額環(huán)比增長(zhǎng)。

HBM正加速重構(gòu)DRAM產(chǎn)業(yè)格局，滲透率從2023年9%升至2024年18%，2025年或突破30%。

Q2關(guān)稅備貨或推升DRAM/NAND出貨量，但政策風(fēng)險(xiǎn)壓制下半年需求。

隨著去年三季度原廠逐漸減產(chǎn)LPDDR4X，近段時(shí)間來(lái)LPDDR4X供應(yīng)持續(xù)緊缺。

閃迪預(yù)計(jì)第四財(cái)季（2025年4-6月）的NAND bit出貨量將保持平穩(wěn)，平均售價(jià)將實(shí)現(xiàn)中高個(gè)位數(shù)百分比增長(zhǎng)；今年下半年NAND bit出貨量將實(shí)現(xiàn)高個(gè)位數(shù)百分比增長(zhǎng)。

鎧俠 SSD和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)受AI應(yīng)用推動(dòng)，需求保持強(qiáng)勁，但銷售額環(huán)比減少，主因售價(jià)下調(diào)。

2025年的手機(jī)和PC的市場(chǎng)復(fù)蘇速度難以預(yù)測(cè)，但是，大型IT公司對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施的投資推動(dòng)了固態(tài)硬盤需求的增長(zhǎng)。

SK海力士今年HBM產(chǎn)能已售罄，12層HBM3E Q2占比將超50%，全年銷售額預(yù)計(jì)翻倍。

企業(yè)級(jí)SSD作為關(guān)鍵增長(zhǎng)引擎的失速，使得“服務(wù)器需求對(duì)沖消費(fèi)端疲軟”的格局被打破，令1Q25的NAND Flash整體需求表現(xiàn)十分疲軟，市場(chǎng)供過(guò)于求明顯。

交貨周期分析

現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR/LPDDR4X供應(yīng)緊俏，手機(jī)庫(kù)存健康，PC OEM庫(kù)存降低。

PC廠商經(jīng)過(guò)數(shù)個(gè)季度的庫(kù)存消耗，截至目前去庫(kù)存效果顯著。

SK海力士3月送樣36GB HBM4（MR-MUF工藝），計(jì)劃下半年量產(chǎn)。

三星表示HBM4 的開發(fā)細(xì)節(jié)如期進(jìn)行，計(jì)劃于今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年開始商業(yè)供應(yīng)。

美光對(duì)HBM4同樣充滿期待，將于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

由于存儲(chǔ)供需狀況轉(zhuǎn)健康，威剛庫(kù)存充足應(yīng)對(duì)需求回溫。

渠道客戶現(xiàn)有庫(kù)存仍足以支撐其短時(shí)間銷售，且渠道客戶普遍保持采購(gòu)謹(jǐn)慎致SSD價(jià)格承壓。

價(jià)格波動(dòng)分析

手機(jī)/PC補(bǔ)庫(kù)推升DDR4/LPDDR4X價(jià)格；部分廠商調(diào)漲DDR4價(jià)格。

受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，三星/SK海力士Q1存儲(chǔ)營(yíng)收環(huán)比均下滑超10%。

渠道部分DDR顆粒緊缺，廠商嘗試調(diào)價(jià)但成交待觀察。

備貨需求支撐低容量LPDDR4X價(jià)格拉漲，其他價(jià)格持平。

原廠減產(chǎn)致LPDDR4X價(jià)格大幅上漲。

5月中旬1Tb QLC/TLC Flash Wafer漲至5.05/5.70美元；DDR4顆粒漲超50%，渠道SSD價(jià)格持平。

DDR4停產(chǎn)致顆粒價(jià)格跳漲，行業(yè)/服務(wù)器產(chǎn)品跟漲。

大容量eMMC因補(bǔ)庫(kù)需求驅(qū)動(dòng)下漲價(jià)，LPDDR4X供應(yīng)趨緊繼續(xù)推相應(yīng)成品漲價(jià)。

現(xiàn)貨市場(chǎng)部分DDR4顆粒半月內(nèi)價(jià)格跳漲超50%，市場(chǎng)熱度迅速升高。

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