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HBM4新規(guī)格拉高制造門檻,預期溢價幅度逾30%

4小時前
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HBM技術發(fā)展受AI Server需求帶動,三大原廠積極推進HBM4產(chǎn)品進度。由于HBM4的I/O(輸入/輸出接口)數(shù)增加,復雜的芯片設計使得晶圓面積增加,且部分供應商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能,皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%,預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。

AI芯片領先業(yè)者NVIDIA英偉達)于今年GTC大會亮相最新Rubin GPU,AMD(超威)則有MI400與之抗衡,上述產(chǎn)品都將搭載HBM4。據(jù)TrendForce集邦咨詢分析,和先前世代的產(chǎn)品相比,HBM4的I/O數(shù)從1024翻倍提升至2048,數(shù)據(jù)傳輸速率則維持在8.0Gbps以上,與HBM3e相當。這意味著在相同的傳輸速度下,有較高通道數(shù)的HBM4傳輸數(shù)據(jù)量將倍增。

此外,目前HBM3e base die采用存儲器架構(gòu),僅為單純的訊號轉(zhuǎn)接。SK hynix(SK海力士)與Samsung(三星)的HBM4 base die則與晶圓代工廠合作,改采邏輯芯片架構(gòu),具備整合HBM與SoC的功能,除了加快數(shù)據(jù)傳輸路徑、減少延遲之外,在高速的數(shù)據(jù)傳輸環(huán)境下更能增加穩(wěn)定性。

由于需求強勁,TrendForce集邦咨詢預估2026年HBM市場總出貨量預計將突破30Billion Gb,HBM4的市占率則隨著供應商持續(xù)放量而逐季提高,預計于2026年下半正式超越HBM3e系列產(chǎn)品,成為市場主流。至于供應商表現(xiàn),預期SK hynix將以過半的市占率穩(wěn)居領導地位,Samsung與Micron(美光科技)仍待產(chǎn)品良率與產(chǎn)能表現(xiàn)進一步提升,才有機會在HBM4市場迎頭趕上。

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