中芯國際是一家純晶圓代工廠，向全球客戶提供8英寸和12英寸芯片代工與技術服務。

中芯國際除高端的制造能力之外，還為客戶提供全方位的晶圓代工解決方案，包括光罩制造、IP研發(fā)及后段輔助設計服務等一站式服務(包含凸塊加工服務、晶圓探測，以及最終的封裝、測試等)。全面一體的晶圓代工解決方案,目標是更有效的幫助客戶降低成本，以縮短產(chǎn)品上市時間。

一、技術節(jié)點布局

1. 成熟制程（0.35μm 至 28nm）

SMIC在成熟制程方面積累了豐富的經(jīng)驗，廣泛應用于消費電子、通信和工業(yè)控制等領域。

高壓BCD工藝：支持從5V到650V的電壓范圍，適用于電源管理和顯示驅動等高壓應用場景。

中芯國際的電源和模擬技術基于現(xiàn)有的低功耗邏輯平臺可提供模塊架構，為模擬和電源應用提供了較低的成本和優(yōu)越的性能。該技術包括雙極晶體管、高壓LDMOS晶體管、精密模擬無源器件和eFuse/OTP/MTP非易失性存儲器，同時提供有競爭力的Rds(on)功率器件。中芯國際的8寸廠擁有世界級的缺陷管控，可和全球的合作伙伴一起提供完整的一站式服務。

射頻與嵌入式存儲：提供超低功耗邏輯平臺，結合嵌入式閃存技術，滿足智能家居和可穿戴設備等對低功耗的需求。

中芯國際提供與邏輯工藝兼容的混合信號/射頻工藝技術，通過與國際領先EDA工具供應商的合作，中芯國際提供精確的RF SPICE模型和完整的PDK工具包，中芯國際提供與邏輯工藝兼容的混合信號/射頻工藝技術，通過與國際領先EDA工具供應商的合作，中芯國際提供精確的RF SPICE模型和完整的PDK工具包。

中芯國際提供了完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲技術與廣泛IP支持，可應用于智能卡、微處理器和物聯(lián)網(wǎng)應用。這些工藝可提供客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的產(chǎn)品，和更具經(jīng)濟效益的解決方案。

圖像傳感器與功率器件：支持CMOS圖像傳感器（CIS）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等工藝，廣泛應用于安防和新能源等領域。

2. 先進制程（14nm 及以下）

盡管面臨EUV光刻設備的獲取限制，SMIC通過技術創(chuàng)新，逐步推進先進制程的發(fā)展。

14nm FinFET工藝：采用鰭式場效應晶體管結構，提升晶體管性能和集成度，適用于高性能計算、人工智能和5G通信等領域。

N+1工藝：在14nm基礎上優(yōu)化，性能提升20%，功耗降低57%，通過多重圖形化技術實現(xiàn)更高的晶體管密度，無需依賴EUV光刻設備。

N+2工藝：進一步提升性能和面積效率，計劃引入EUV技術，目標對標國際先進的7nm+工藝水平。

二、特色工藝平臺

1. MEMS（微機電系統(tǒng)）

SMIC提供開放式和封閉式結構的MEMS工藝，支持CMOS-MEMS單芯片集成和晶圓級封裝，廣泛應用于消費電子、汽車傳感器和工業(yè)自動化等領域。

2. IGBT與功率器件

采用場截止型（Field Stop）IGBT結構，結合背面減薄和激光退火等工藝，支持600V至1200V高壓應用，廣泛應用于工業(yè)變頻、新能源汽車和智能電網(wǎng)等領域。

3. BCD+集成技術

BCD-SOI工藝：集成嵌入式非易失性存儲和絕緣體上硅（SOI）技術，適用于滿足AEC-Q100標準的汽車電子高可靠性場景。

高壓工藝：覆蓋5V至650V電壓范圍，支持面板驅動和電源管理等應用。

三、物聯(lián)網(wǎng)與汽車電子平臺

1. 物聯(lián)網(wǎng)基礎技術

SMIC提供超低功耗射頻技術，整合超低功耗邏輯與嵌入式閃存，優(yōu)化智能卡和傳感器等設備的功耗與成本。

2. 車規(guī)級工藝

SMIC的車規(guī)級工藝符合AEC-Q100 G0/G1/G2可靠性要求，支持車用MCU、傳感器和電源管理芯片等，12英寸晶圓廠提供鋁/銅后段工藝，滿足車規(guī)級芯片的大規(guī)模量產(chǎn)需求。

四、技術發(fā)展趨勢與挑戰(zhàn)

盡管SMIC在先進制程方面取得了顯著進展，但仍面臨以下挑戰(zhàn)：

設備限制：由于無法獲得EUV光刻設備，SMIC需依賴多重圖形化技術實現(xiàn)更小的制程節(jié)點，導致制造復雜度增加，成本上升，良率下降。

技術自主性：SMIC正在積極與國內(nèi)設備制造商合作，開發(fā)本土EUV技術，以減少對外國設備的依賴。

總體而言，SMIC通過在成熟制程、特色工藝和先進制程方面的多元化布局，逐步實現(xiàn)技術自主化，滿足多樣化市場需求，提升在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的競爭力。

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