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RDL

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  • 英特爾先進(jìn)封裝:助力AI芯片高效集成的技術(shù)力量
    在AI發(fā)展的浪潮中,一項技術(shù)正在從“幕后”走向“臺前”,也就是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝(advanced packaging)。這項技術(shù)能夠在單個設(shè)備內(nèi)集成不同功能、制程、尺寸、廠商的芯粒(chiplet),以靈活性強、能效比高、成本經(jīng)濟的方式打造系統(tǒng)級芯片(SoC)。因此,越來越多的AI芯片廠商青睞這項技術(shù)。 英特爾自本世紀(jì)70年代起持續(xù)創(chuàng)新,深耕封裝技術(shù),積累了超過50年的豐富經(jīng)驗。面向AI時代,英特爾
    英特爾先進(jìn)封裝:助力AI芯片高效集成的技術(shù)力量
  • 芯片封裝中的RDL
    封裝中的RDL(Redistribution Layer,重分布層)是集成電路封裝設(shè)計中的一個重要層次,主要用于實現(xiàn)芯片內(nèi)電氣連接的重新分配,并且在封裝中起到連接芯片和外部引腳之間的橋梁作用。RDL的設(shè)計和實現(xiàn)直接影響到封裝的電氣性能、可靠性和制造成本。
    芯片封裝中的RDL
  • RDL(重布線)工藝流程
    學(xué)員問:RDL是什么一種什么工藝,有什么作用?需要什么樣的工藝做出來的?RDL是什么?RDL,全名Redistribution Layer,中文名重布線層。通過RDL工藝,可以將可以將I/O焊盤從芯片中心移到邊緣,分布在更寬廣的區(qū)域上。特別適用于需要高I/O數(shù)量的先進(jìn)封裝。
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    2024/11/10
    RDL
    RDL(重布線)工藝流程
  • 先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | RDL線寬線距將破亞微米,賦能扇出封裝高效能低成本集成
    隨著先進(jìn)封裝的深入進(jìn)展,重新分布層(RDL)技術(shù)獲得了巨大的關(guān)注。這種革命性的封裝技術(shù)改變了我們封裝 IC 的方式。RDL 技術(shù)是先進(jìn)封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學(xué)和 2.5D/3D 集成方法,實現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計。OSAT、 IDM和代工廠在這條道上的競爭日益激烈。如今RDL L/S?擴展到最先進(jìn) 2μm及以下。未來三年將進(jìn)入亞微米,賦能扇出封裝更高效能集成。本文為各位看官匯報了相關(guān)趨勢展望與企業(yè)技術(shù)進(jìn)展。
    先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | RDL線寬線距將破亞微米,賦能扇出封裝高效能低成本集成
  • 一文讀懂先進(jìn)封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
    先進(jìn)封裝的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸點)、RDL(重布線層)、Wafer(晶圓)——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔(dān)的功能,從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。
    一文讀懂先進(jìn)封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
  • 先進(jìn)封裝中的RDL-first工藝介紹
    什么是RDL-first工藝?RDL(Redistribution Layer,重布線層)是半導(dǎo)體封裝中的一個關(guān)鍵部分。它的作用類似于城市中的交通網(wǎng)絡(luò),將信號從一個地方重新分配到另一個地方,使得芯片中的各個部分能夠高效地通信。

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