• 增強(qiáng)型場效應(yīng)管

  增強(qiáng)型場效應(yīng)管（Enhancement-Mode MOSFET）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中以實現(xiàn)功率放大、信號調(diào)節(jié)和開關(guān)控制等功能。相比于功率晶體管，增強(qiáng)型場效應(yīng)管具有更低的驅(qū)動電壓、更小的輸入電流，以及更快的開關(guān)速度和更好的頻率響應(yīng)。本文將深入介紹增強(qiáng)型場效應(yīng)管的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍。

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  場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管
• MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判斷方法

  MOS場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的器件。它由柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）三個主要引腳組成。

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  2024/11/06

  場效應(yīng)晶體管 MOS場效應(yīng)管

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