• CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動(dòng)氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日，CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場，這一市場規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  上回書說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開關(guān)性能。

  英飛凌

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  01/16 11:45

  英飛凌 IGBT

  

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