• 先進(jìn)制程晶圓制造工藝挑戰(zhàn)之一GAA器件模型

  3納米工藝節(jié)點(diǎn)中的GAA晶體管帶來(lái)了顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應(yīng)對(duì)其復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和對(duì)工藝變異的敏感性。同時(shí)，新的物理失效模式也需要在設(shè)計(jì)和制造過程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來(lái)的新提取要求和物理失效模式是一個(gè)復(fù)雜的問題。

  老虎說芯

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  2024/07/17

  晶圓制造 先進(jìn)制程
• FinFET即將謝幕？

  自2012年出現(xiàn)以來(lái)，F(xiàn)inFET接近超期服役。在繼續(xù)追求摩爾定律的道路上，F(xiàn)inFET漸漸顯示出疲態(tài)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  2022/02/15

  晶體管 FinFET
• 如何抑制GAA寄生溝道？微電子所給出方案

  作為GAA制造流程的一環(huán)，子鰭可能引發(fā)寄生溝道效應(yīng)等副作用，導(dǎo)致GAA晶體管的器件性能下降。為此，中科院微電子所先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)開發(fā)了縮窄子鰭的工藝改進(jìn)方案。

  芯片揭秘

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  2021/11/30

  GaA GAA晶體管
• 科研前線 | AI與芯片大碰撞，臺(tái)交大深度學(xué)習(xí)算法賦能GAA器件模擬

  中國(guó)臺(tái)灣陽(yáng)明交通大學(xué)平行與科學(xué)計(jì)算實(shí)驗(yàn)室首次提出了一種深度學(xué)習(xí)算法研究不同工藝變化因子對(duì)半導(dǎo)體納米器件性能的影響,基于柵極功函數(shù)波動(dòng)統(tǒng)計(jì)分布，并以先進(jìn)GAA晶體管為研究對(duì)象探索了器件模擬仿真的創(chuàng)新新方案。

  芯片揭秘

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  2021/10/18

  深度學(xué)習(xí) GaA
• 新思科技與三星合作，加速推廣變革性3納米GAA技術(shù)

  技術(shù)更先進(jìn)的Fusion Design Platform為AI、HPC和5G等高增長(zhǎng)市場(chǎng)提供了更高水平的性能功耗比。

  美通社

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  2021/07/07

  人工智能 三星
• 三星3nm芯片成功流片，采用GAA工藝

  6月29日，三星宣布，與Synopsys合作的采用GAA架構(gòu)的3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。三星先臺(tái)積電一步，提前在3nm制程中采用GAA工藝。

  中國(guó)電子報(bào)

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  2021/07/01

  三星 3nm
• 新思三星攜手推出3nm GAA的全套設(shè)計(jì)方法和流程

  先進(jìn)應(yīng)用的開發(fā)者可基于三星與新思科技的合作加速部署3nm全環(huán)柵（GAA）工藝技術(shù)，AMS 設(shè)計(jì)參考流程提供了用于 3nm 模擬 / 混合信號(hào)設(shè)計(jì)的完整方法（包括用于設(shè)計(jì)、版圖、可靠性分析和簽核的流程），新思科技定制設(shè)計(jì)平臺(tái)可為三星 3nm GAA 設(shè)計(jì)提供最佳的生產(chǎn)率，以及可縮短模擬設(shè)計(jì)閉合時(shí)間的創(chuàng)新功能。

  新思科技

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  2020/12/04

  三星 新思科技Synopsys
• 【半導(dǎo)體估值卷-前言】重構(gòu)的未來(lái)——站在現(xiàn)在這個(gè)時(shí)點(diǎn)上

  重構(gòu)的未來(lái)，百年未有之大變局。站在現(xiàn)在的時(shí)點(diǎn)上，我們以不變應(yīng)萬(wàn)變，迎接這個(gè)巨大的歷史性機(jī)遇。

  橙子不糊涂

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  2020/06/15

  華為 半導(dǎo)體行業(yè)
• 國(guó)際丨為了5nm工藝地位，英特爾發(fā)力GAA

  不可否認(rèn)，5nm 制程的演進(jìn)是各項(xiàng)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)逐步成熟、變革的必經(jīng)之路，亦是根基。

  AI芯天下

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  2020/04/02

  芯片 電路設(shè)計(jì)
• 三星GAA技術(shù)叫板臺(tái)積電，中國(guó)臺(tái)灣專家卻稱其只是“唬人”而已

  與非網(wǎng)8月14日訊，此前在日本東京的晶圓代工論壇上，三星電子展示了其先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3nm以下芯片、名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。三星稱在GAA技術(shù)上，其領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年，但是近期這個(gè)言論卻被中國(guó)臺(tái)灣專家“噴了”。

  與非網(wǎng)記者

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  2019/08/14

  臺(tái)積電 三星
• GAA器件模型是什么？遇到了哪些挑戰(zhàn)

  3納米工藝節(jié)點(diǎn)中的GAA晶體管帶來(lái)了顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應(yīng)對(duì)其復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和對(duì)工藝變異的敏感性。同時(shí)，新的物理失效模式也需要在設(shè)計(jì)和制造過程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來(lái)的新提取要求和物理失效模式是一個(gè)復(fù)雜的問題。

  老虎說芯

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  01/15 16:46

  3nm工藝 GaA

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