6月29日，三星宣布，與Synopsys合作的采用GAA架構(gòu)的3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。三星先臺積電一步，提前在3nm制程中采用GAA工藝。

據(jù)了解，三星于去年1月便宣布將生產(chǎn)世界上第一個3nm GAAFET工藝原型。3nm GAAFET需要一套不同于臺積電和英特爾使用的FinFET晶體管結(jié)構(gòu)的設計和認證工具，在此方面，三星使用了Synopsys的Fusion Design Platform。因此，這次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的，旨在加速為GAA流程提供高度優(yōu)化的參考方法。

三星表示，GAA架構(gòu)改進了靜電特性，從而提高了性能并降低了功耗，能夠為基于納米片寬度控制的額外矢量帶來新的優(yōu)化機會，并搭配完善的電壓閾值，能夠更好地優(yōu)化功率，為性能或面積 (PPA) 的提供更好地設計。

然而，這已經(jīng)不是三星第一次在工藝節(jié)點上先臺積電一步引入新的技術(shù)，先前在7nm的工藝中，三星也同樣先臺積電一步采用EUV光刻技術(shù)，可見，三星在新技術(shù)方面表現(xiàn)的更加大膽，也彰顯了其與臺積電“一決高下”的態(tài)度。

然而，在3nm芯片中提前采用GAA工藝是否真的能如愿給三星帶來更多競爭優(yōu)勢嗎？

Gartner研究副總裁盛陵海認為，提前采用新的工藝技術(shù)，實則會產(chǎn)生一定的風險性，“FinFET工藝結(jié)構(gòu)已經(jīng)在先進集成電路芯片中發(fā)展應用了10年之久，可見FinFET技術(shù)在各方面已經(jīng)相對比較成熟，也能夠更好地控制成本，而引入GAA之后，在很多技術(shù)方面需要進行重新考量，需要花費更多成本來進行研發(fā)，這也容易造成芯片成本更高，性能也不一定比采用FinFET工藝結(jié)構(gòu)的芯片更佳。”盛凌海同《中國電子報》記者說道。

與此同時，芯謀研究研究總監(jiān)宋長庚也認為，對于客戶而言，并不會由于代工廠采用了新的技術(shù)，而選擇進行嘗試，依然會從功耗、性能、價格等各方面來綜合考量芯片的技術(shù)，蔡虎進行采納，因此在客戶競爭方面，搶先一步采用GAA工藝或許并不一定能為三星帶來更多客戶。

“但這并不意味著三星提前采用GAA工藝是完全不合理的，先前，三星在存儲器方面已經(jīng)用到了GAA的晶體管，可以看出三星在GAA技術(shù)方面已經(jīng)積累了一定的經(jīng)驗，提前在3nm芯片中采用GAA工藝，或許能為三星帶來一定的優(yōu)勢。” 宋長庚說道。