• GAA器件模型是什么？遇到了哪些挑戰(zhàn)

  3納米工藝節(jié)點(diǎn)中的GAA晶體管帶來(lái)了顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應(yīng)對(duì)其復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和對(duì)工藝變異的敏感性。同時(shí)，新的物理失效模式也需要在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來(lái)的新提取要求和物理失效模式是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。

  老虎說(shuō)芯

  1223

  01/15 16:46

  3nm工藝 GaA

正在努力加載...