• 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級別、功率密度和效率水平

  德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更高功率密度和更高效的解決方案。德州儀器發(fā)布的新款 TPS1685 是具有電源路徑保護(hù)的 48V 集成式熱插拔電子保險絲，可幫助客戶滿足數(shù)據(jù)中心硬件和處理需求。為了簡化數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，德州儀器還推出了采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TOLL

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  04/09 07:20

  GaN 德州儀器

  
• Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

  Nexperia宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-

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  03/19 08:17

  LED驅(qū)動器 bms

  
• 英飛凌推出專為AI服務(wù)器優(yōu)化的新型48 V熱插拔控制器， 擴(kuò)展其XDP?數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）擴(kuò)展旗下XDP? 數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區(qū)域（SOA）控制且專為高功率 AI 服務(wù)器設(shè)計(jì)。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監(jiān)控與報告功能，精度達(dá) ≤0.4%，還有系統(tǒng)輸入電流監(jiān)控與報告功能，在全

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  03/17 10:00

  英飛凌 控制器

  
• Allegro技術(shù)洞察：12V 和 48V 系統(tǒng)的通用驅(qū)動平臺簡化電動汽車啟動發(fā)電機(jī)設(shè)計(jì)

  皮帶驅(qū)動啟動發(fā)電機(jī) (BSG) 是混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 系統(tǒng)不可或缺的一部分，因?yàn)樗兄跍p少內(nèi)燃機(jī)產(chǎn)生的碳排放。啟動發(fā)電機(jī)系統(tǒng)在電動汽車架構(gòu)中扮演著多重角色。它們負(fù)責(zé)啟動發(fā)動機(jī)，為發(fā)動機(jī)提供額外的電力，并在減速或滑行期間產(chǎn)生充電電壓，從而減少機(jī)械制動系統(tǒng)的磨損，同時提高整體系統(tǒng)效率。 無論架構(gòu)或位置如何，啟動發(fā)電機(jī)系統(tǒng)已被證明是車輛電氣化的重要組成部分。啟動發(fā)電機(jī)可用于

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  02/26 07:19

  MOSFET 發(fā)電機(jī)

  
• 非常見問題解答第224期：熱插拔控制器中的寄生振蕩

  作者：Aaron Shapiro，產(chǎn)品應(yīng)用工程師 問題 我按照數(shù)據(jù)手冊在原理圖中使用了10 Ω柵極電阻，但在啟動期間仍有振鈴。我的熱插拔控制器電路為何會振蕩？ 回答 使用高端N溝道MOSFET開關(guān)的熱插拔器件在啟動和限流期間可能會發(fā)生振蕩。雖然這不是新問題，但數(shù)據(jù)手冊通常缺少解決方案的詳細(xì)信息。如果不了解基本原理，只是添加一個小柵極電阻進(jìn)行簡單修復(fù)，可能會導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生

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  2024/12/16

  控制器 振蕩器

  
• 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？

  在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。

  亞德諾半導(dǎo)體

  1420

  2024/10/25

  DC/DC轉(zhuǎn)換器 場效應(yīng)晶體管

  
• 體二極管

  體二極管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種基于場效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，用于控制電流流動。與雙極型晶體管相比，體二極管具有更高的輸入阻抗、較低的功耗和更好的高頻特性，因此在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。

  eefocus_3901714

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  03/26 17:18

  二極管 FET

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