基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應(yīng)晶體管對管（見P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點(diǎn)是：①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級；②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口；⑤速度快，門延遲時間達(dá)納秒級；⑥在模擬電路中應(yīng)用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。

基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應(yīng)晶體管對管（見P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點(diǎn)是：①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級；②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口；⑤速度快，門延遲時間達(dá)納秒級；⑥在模擬電路中應(yīng)用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。收起