• 原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解

  ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。具體過程包括：前體吸附：將化學(xué)前體（Precursor）引入反應(yīng)室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。

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  01/15 08:45

  ALD ALD技術(shù)

  
• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？

  學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

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  2024/12/20

  ALD ALD技術(shù)
• 在使用ALD工藝沉積氧化物時(shí)，如何確保反應(yīng)完全且薄膜厚度可控

  原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。在沉積氧化物薄膜時(shí)，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度是至關(guān)重要的，這直接影響到薄膜的質(zhì)量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時(shí)，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度。

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  2024/08/19

  ALD ALD技術(shù)
• ALD（原子層沉積）與CVD的異同點(diǎn)有哪些

  ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術(shù)，在材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機(jī)制和特點(diǎn)上存在著一些顯著的不同。

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  9873

  2024/08/16

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