• 原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解

  ALD 是一種精確的薄膜沉積技術，其核心原理是利用化學反應的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。具體過程包括：前體吸附：將化學前體（Precursor）引入反應室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。

  老虎說芯

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  01/15 08:45

  ALD ALD技術

  
• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術相比的優(yōu)勢？

  學員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結構中，由于氣體進出受到了物理限制，側壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

  TOM聊芯片智造

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  2024/12/20

  ALD ALD技術
• 一項多尺度模擬技術，打通ALD的材料—過程—裝備？

  今天我們對話的這位專家是來自華東理工大學化工學院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進行了非常多的探索，今天我們就請莊教授和我們一起來聊聊他所從事的事情，請莊教授和大家打個招呼。

  芯片揭秘

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  2024/04/01

  ALD ALD技術

  
• 微導納米黎微明：讓ALD技術充分發(fā)揮前瞻性和共性技術的作用

  10月13-14日，由張江高科、芯謀研究聯(lián)合主辦的第九屆張江高科·芯謀研究集成電路產業(yè)領袖峰會在上海浦東張江召開，微導納米CTO黎微明博士在次日舉辦的設備材料分論壇中以《ALD技術在先進半導體芯片的應用及國產化展望》為主題發(fā)表演講。

  芯謀研究

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  2023/11/05

  ALD技術 先進芯片

  
• 材料｜Picosun推出柔性有機電子顯示產品用新型涂層解決方案

  由于可折疊手機和其他未來電子產品的快速迭代需要更輕、更可靠并能夠折疊和拉伸的設備材料，有機電子產品的設計和制造過程中對材料涂布或沉積方法的改進有著急切地需求。

  CINNO Research

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  2022/01/06

  封裝 ALD技術
• 韓某研究院通過ALD技術實現高遷移率 IGZO

  Display Daily大約六個月前的一篇文章，詳細總結了目前高性能 IGZO的六個主要技術驅動類別以及顯示器中更高性能（氧化物）半導體材料的基本原理。

  CINNO Research

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  2021/11/09

  oled ALD技術
• 第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設備需求，供應鏈與服務本地化成關鍵考量

  隨著中國“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產業(yè)對于“碳達峰、碳中和”的目標達成共識，第三代半導體新材料成為了支撐5G基建、新能源產業(yè)、特高壓、軌道交通等領域的核心技術。

  與非網編輯

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  2021/09/01

  半導體設備 第三代半導體
• 在使用ALD工藝沉積氧化物時，如何確保反應完全且薄膜厚度可控

  原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術，被廣泛應用于半導體、光電子和納米技術領域。在沉積氧化物薄膜時，確保反應完全并控制薄膜厚度是至關重要的，這直接影響到薄膜的質量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時，確保反應完全并控制薄膜厚度。

  eefocus_3901714

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  2024/08/19

  ALD ALD技術
• ALD（原子層沉積）與CVD的異同點有哪些

  ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術，在材料科學、納米技術和半導體工業(yè)等領域有著廣泛的應用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機制和特點上存在著一些顯著的不同。

  eefocus_3901714

  9868

  2024/08/16

  CVD ALD

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