• 美光HBM明年目標(biāo)：倍增！

  隨著美國存儲半導(dǎo)體公司美光成功開發(fā)出第5代高帶寬存儲器“HBM3E 12層”產(chǎn)品，存儲器企業(yè)之間的領(lǐng)導(dǎo)地位之爭預(yù)計(jì)將變得更加激烈。

  芯片說 IC TIME

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  2024/09/17

  存儲器 HBM

  
• AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有什么區(qū)別

  高帶寬內(nèi)存（HBM）：由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織制定，專為高性能計(jì)算和圖形處理設(shè)計(jì)。主要特點(diǎn)是通過3D堆疊技術(shù)將多層DRAM芯片堆疊在一起，并使用硅通孔（TSV）進(jìn)行垂直互聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗。

  老虎說芯

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  01/15 16:03

  HBM 內(nèi)存

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