• ??如何選擇合適的MDD開關(guān)二極管 封裝 頻率與電流能力的權(quán)衡??

  在電子電路設(shè)計中，MDD開關(guān)二極管的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。作為現(xiàn)場應(yīng)用工程師（FAE），我們需要綜合考慮封裝、開關(guān)頻率和電流能力三個關(guān)鍵因素，以找到最優(yōu)的解決方案。 ??1.封裝選擇：散熱、尺寸與安裝方式的平衡?? 封裝不僅決定了二極管的物理尺寸，還直接影響其散熱能力和電流承載能力。常見的封裝類型包括： ??TO-220/TO-247??（大功率）：適用于高電流（10A+）應(yīng)用，散

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  05/22 16:28

  二極管 封裝
• 晶振老化率控制 如何將年漂移量降低至±1ppm以內(nèi)

  晶振作為電子設(shè)備中的關(guān)鍵頻率元件，其性能穩(wěn)定性對設(shè)備的整體運行至關(guān)重要。老化率是衡量晶振長期頻率穩(wěn)定性的重要指標(biāo)，年漂移量則是老化率的具體體現(xiàn)。在許多高精度電子系統(tǒng)中，如通信設(shè)備、導(dǎo)航系統(tǒng)等，要求晶振的年漂移量控制在±1ppm以內(nèi)。 晶振老化機理分析 晶振的老化主要是由于晶體元件本身的物理化學(xué)變化以及外部環(huán)境因素的影響導(dǎo)致的頻率漂移。晶體元件在長期工作過程中，會發(fā)生表面電極的氧化、晶體表面的污染、

  晶發(fā)電子

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  05/22 15:55

  晶振 頻率

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