• 碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  一、引言隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關重要。而不同的吸附方案會對測量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。二、常見吸附方案概述在碳化硅襯底測量中，常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產(chǎn)生負壓將襯底固定，操作相對簡單，但可能存在吸附不均勻的情況。靜電吸附則利用

  萬智光學

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  01/23 07:22

  碳化硅 晶圓

  
• 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響

  在半導體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn) —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。深入探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源，以及剖析其給氮化鎵襯底厚度測量帶來的全方位影響，對于保障半導體制造工藝的高質(zhì)量推進有著舉足輕重的意義。一、“溫漂” 現(xiàn)象的滋生土壤1，

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  01/22 07:33

  碳化硅 晶圓

  

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