• 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實際影響

  在半導(dǎo)體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石，其厚度測量的精準性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如同一股暗流，悄然沖擊著這一精準測量的防線，給碳化硅襯底厚度測量帶來諸多實際且棘手的影響。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在根源測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上是由于溫度因素致使探頭自身物理特性發(fā)生改變，進而引發(fā)測量誤差的現(xiàn)象。一方面，環(huán)境溫度的波動是 “溫漂”

  萬智光學(xué)

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  01/14 09:22

  碳化硅 晶圓

  

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