• 碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）測量精度直接影響后續(xù)芯片加工工藝的良率與性能，而不同的吸附方案在這一測量過程中扮演著舉足輕重的角色，環(huán)吸方案更是以其獨(dú)特性與其他吸附方案形成鮮明對(duì)比，對(duì)測量結(jié)果產(chǎn)生著顯著

  萬智光學(xué)

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  01/13 14:20

  碳化硅 晶圓

  

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