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扇出型晶圓級(jí)封裝

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  • 激光退火后 晶圓 TTV 變化管控
    摘要：本文針對(duì)激光退火后晶圓總厚度偏差（TTV）變化的問題，深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)、晶圓預(yù)處理以及檢測(cè)反饋機(jī)制等方面，提出一系列有效管控 TTV 變化的方法，為提升激光退火后晶圓質(zhì)量提供技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：激光退火；晶圓；TTV 變化；管控方法 一、引言 激光退火作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，在改善晶圓電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用。然而，激光退火過程中產(chǎn)生的高熱量及不均勻的能量分布，易導(dǎo)致晶

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