• 高頻應(yīng)用中的MDD開(kāi)關(guān)二極管：哪些參數(shù)決定電路性能？

  在高頻電子設(shè)計(jì)中，MDD開(kāi)關(guān)二極管廣泛應(yīng)用于脈沖整形、邏輯轉(zhuǎn)換、波形調(diào)制、混頻、隔離等場(chǎng)景中。其性能直接影響電路的響應(yīng)速度、信號(hào)完整性與功耗控制。在這類(lèi)高頻應(yīng)用中，哪些參數(shù)才是真正影響電路性能的關(guān)鍵？ 一、反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：決定高速切換能力 反向恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time,trr）是高頻應(yīng)用中最關(guān)鍵的參數(shù)之一，它表示當(dāng)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)所需的時(shí)間。

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  8小時(shí)前

  高頻電路 開(kāi)關(guān)二極管

  

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