BICMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工藝是將雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）結(jié)合在一起，形成混合式集成電路制造工藝。BICMOS工藝既有N-MOSFET、P-MOSFET的優(yōu)點，又能夠利用高速度、高電流增益因子以及功放電路中所需要的高電流驅(qū)動特性等BJT元件的特點。BICMOS芯片可以實現(xiàn)數(shù)字電路、模擬電路和混合信號電路的功能。

1.Bipolar工藝與BICMOS工藝的區(qū)別

Bipolar工藝制造的芯片只包含了雙極型晶體管，而BICMOS工藝則同時包含了雙極型晶體管和場效應晶體管。Bipolar工藝制造出來的芯片具有高電流增益、高可靠性和快速開關速度的特點，但是也存在低集成度、低器件密度等缺點；而BICMOS工藝則在保留了雙極型晶體管的這些優(yōu)點的同時，還能夠使芯片實現(xiàn)更高的集成度和器件密度，具有更好的可靠性和更低的功耗。

2.BiCMOS工藝與Bipolar工藝的關系

BiCMOS工藝可以看作是Bipolar工藝和CMOS工藝的綜合體。CMOS技術(shù)是一種基于場效應晶體管的制造工藝，由于其低功耗、抗干擾強、可靠性高等特點，目前已成為主流的數(shù)字電路制造技術(shù)。Bipolar工藝的采用，則具有高速開關、線性增益、高頻寬和強噪聲指標等特點。因此，在某些需要同時具備高速度和大電流放大的混合模擬應用中，BiCMOS技術(shù)是一個很好的選擇。

3.總結(jié)

總而言之，BICMOS工藝是將Bipolar工藝和CMOS工藝兩者之長匯合的制造工藝。其制造出來的芯片集成度高、功耗低、尤其在高速和混合信號應用上表現(xiàn)優(yōu)異，因此在現(xiàn)代電子技術(shù)中得到了廣泛的應用。