NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）是一種類型的場效應晶體管（FET），屬于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）家族。NMOS晶體管由一個n型溝道、p型控制門和絕緣氧化物層組成。它是一種常見的半導體器件，用于在集成電路中實現(xiàn)邏輯功能和放大信號。了解NMOS的導通條件以及其是高電平導通還是低電平導通對于理解其工作原理和正確的使用非常重要。

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1. NMOS導通條件是什么

NMOS導通的條件取決于控制門極的電壓和源級與漏極之間的電壓差。NMOS的控制門極通常是通過外部電壓控制的。

導通條件如下：

1. 控制門極電壓高于閾值電壓（Vth）：當控制門極電壓高于NMOS晶體管的閾值電壓時，溝道中的電子將能夠形成連續(xù)的導電路徑，從而使NMOS導通。
2. 溝道處于正向偏置：當NMOS導通時，源級必須以較低的電勢（通常為地或負電壓）處于正向偏置狀態(tài)，而漏極則以較高的電勢處于正向偏置狀態(tài)。這樣，通過源級和漏極之間的電壓差，電子將能夠自由地從源級流向漏極，實現(xiàn)導通。

綜上所述，NMOS導通條件是控制門極電壓高于閾值電壓，并且溝道處于正向偏置。

2. NMOS是高電平導通還是低電平導通

NMOS是一種低電平導通器件，也稱為開漏輸出器件。這意味著當控制門極電壓高于閾值電壓時，NMOS晶體管處于導通狀態(tài)，但其導通路徑只能提供到源級的電壓，無法提供到漏極的電壓。

具體來說：

1. 高電平（邏輯1）情況下：當輸入信號為高電平時，控制門極電壓高于閾值電壓，NMOS導通，輸出接近源級電壓（低電平）。此時，NMOS的漏極電壓較高，因此無法直接提供高電平輸出。
2. 低電平（邏輯0）情況下：當輸入信號為低電平時，控制門極電壓低于閾值電壓，NMOS截斷，不導通。此時，NMOS的漏極電壓高于源級電壓，并且輸出處于高阻態(tài)或高電平。

綜上所述，NMOS是在低電平情況下導通的器件。它適用于開漏輸出和負邏輯電路設計，通常與PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）晶體管結合使用以實現(xiàn)CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）邏輯門電路。