1.n溝道與p溝道的區(qū)別

在mos管中，每個晶體管都有一個柵極、漏極和匯極。而溝道是指柵極和源極（或漏極）之間形成的導電途徑。n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管之間最大的區(qū)別在于溝道中注入的摻雜物不同。n溝道中摻雜的是與硅原子電子數量相比較少的雜質（如磷），而p溝道中摻雜的則是與硅原子電子數量相比較多的雜質（如硼）。

2.區(qū)分n溝道和p溝道導通條件

n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管的導通條件及其區(qū)別如下：

• n溝道m(xù)os管：當管子柵極正極電壓高于源極電壓時，n溝道內的電子會沿著電場移動并形成導電通路，從而完成導通。同時，由于柵極正極電壓高于源極電壓，柵極和n溝道之間的結電容會變得很小，并通過這種方式調整阻態(tài)。
• p溝道m(xù)os管：與n溝道m(xù)os管不同，在p溝道m(xù)os管中，當柵極負極電壓低于源極電壓時，p溝道內的空穴會沿著電場移動并形成導電通路，從而導通。由于柵極負極電壓低于源極電壓，柵極和p溝道之間的結電容會變得很小，并通過這種方式調整阻態(tài)。