射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET 設(shè)計(jì)用于頻率在869至960 MHz范圍內(nèi)的GSM和GSM EDGE基站應(yīng)用。適用于多載波放大器應(yīng)用。

GSM應(yīng)用

• 典型的GSM性能：VDD = 26伏特，IDQ = 700毫安培，Pout = 100瓦連續(xù)波，全頻帶（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 17.5 dB 漏極效率 - 60% GSM

EDGE應(yīng)用 典型的GSM

• EDGE性能：VDD = 28伏特，IDQ = 650毫安培，Pout = 50瓦平均功率，全頻帶（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 18 dB 400 kHz偏移處的譜重構(gòu) = -63 dBc 600 kHz偏移處的譜重構(gòu) = -78 dBc EVM = 2.3% 均方根誤差
• 能夠承受10:1的駐波比，@ 26 V直流電壓，960 MHz，100瓦連續(xù)波輸出功率

特點(diǎn)

• 使用等效大信號(hào)阻抗參數(shù)進(jìn)行特性化
• 內(nèi)部匹配，易于使用
• 最大32 VDD操作合格化
• 集成ESD保護(hù)
• 200°C耐溫塑料封裝 。
• N后綴表示無(wú)鉛引線。符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
• 帶有膠帶和卷軸。R1后綴=每個(gè)44 mm、13英寸卷軸500個(gè)單位。