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MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 MHz, 19 W AVG., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 MHz, 19 W AVG., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for W-CDMA station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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