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ARCHIVED - MRFE6S9160HR3, MRFE6S9160HSR3 880 MHz, 35 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - MRFE6S9160HR3, MRFE6S9160HSR3 880 MHz, 35 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

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