Designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2300 to 2620 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
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ARCHIVED - MRF8P23080HR3, MRF8P23080HSR3 2300-2400 MHz, 16 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
Designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2300 to 2620 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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