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掃碼加入在e200z760n3 Power Architecture核心上使用性能監(jiān)控單元
e200z7核心是基于Power Architecture?技術(shù)構(gòu)建的，具有10級(jí)流水線和雙發(fā)射的Harvard架構(gòu)核心實(shí)現(xiàn)，運(yùn)行速度可達(dá)264 MHz/600 DMIPs，并集成了DSP和浮點(diǎn)能力。它還通過(guò)使用可變長(zhǎng)度編碼（VLE）來(lái)減小代碼占用空間，提高代碼密度，減少內(nèi)存大小需求。e200z7核心可以在諸如MPC5674F等設(shè)備上找到，并具有性能監(jiān)控單元（PMU）以支持執(zhí)行分析。本應(yīng)用筆記描述了PMU的組成部分、其功能以及如何利用該特性改善軟件性能，通過(guò)了解軟件的操作和性能瓶頸位置來(lái)提高軟件性能。
| 器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 20610TC101J101ME | 1 | Vishay Intertechnologies | RC Network, Terminator, 1W, 100ohm, 0.0001uF, Through Hole Mount, 10 Pins, SIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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暫無(wú)數(shù)據(jù) | 查看 | |
| TD92N16KOFHPSA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 |
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暫無(wú)數(shù)據(jù) | 查看 | |
| BSS8402DW-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 |
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$0.54 | 查看 |
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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起
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