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ARCHIVED - MRF6VP41KHR6, MRF6VP41KHSR6 10-500 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - MRF6VP41KHR6, MRF6VP41KHSR6 10-500 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

Designed for pulse and CW wideband applications with frequencies up to 500 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。