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AFT09MS015NT1 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT09MS015NT1 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

The AFT09MS015N is designed for mobile two-way radio applications with frequencies from 136 to 941 MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device make it ideal for large

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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