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ARCHIVED - A2T18S162W31S, A2T18S162W31GS 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistors Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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A2T18S162W31 32 W RF power LDMOS transistors for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth in the 1805-1880 MHz bands

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。