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掃碼加入如何在 KE1xF 中使用 FlexMemory 作為 D-Flash 和 EEPROM
FlexMemory（FlexNVM 和 FlexRAM）可以在恩智浦的 Kinetis KE1xF系列上使用。FlexMemory 允許用戶將 FlexNVM 塊配置為基本 D-Flash（數(shù)據(jù) Flash）、增強(qiáng) EEPROM（EEE）或兩者的組合。
D-Flash memory 對(duì)于需要快速存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)或存儲(chǔ)靜態(tài)數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序非常有用。EEPROM 特性被廣泛應(yīng)用于在系統(tǒng)斷電時(shí)存儲(chǔ)少量變化的數(shù)據(jù)。
本應(yīng)用筆記描述了 FlexMemory 的特性，以及如何實(shí)現(xiàn)它作為 D-Flash和增強(qiáng)的 EEPROM 的功能。這兩種用法的示例包含在 SDK2.0 KE1xF發(fā)布包中。
| 器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N2329 | 1 | Silicon Transistor Corporation | Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 400V V(DRM), 1 Element, TO-5 |
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$91.96 | 查看 | |
| 66099-3 | 1 | TE Connectivity | III+ PIN,18-16,15AU/FL,LP |
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$1.19 | 查看 | |
| SRR1280-330M | 1 | Bourns Inc | General Purpose Inductor, 33uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 4949, ROHS COMPLIANT |
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$1.3 | 查看 |
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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起
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