核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取

隨著服務(wù)器和人工智能應(yīng)用的發(fā)展，CPU/GPU的功率越來越高，為了降低傳輸損耗，傳統(tǒng)供電架構(gòu)已經(jīng)從12V升級到48V。受限于服務(wù)器內(nèi)的空間尺寸，需要高功率密度的電源幫助實現(xiàn)從48V到12V的供電轉(zhuǎn)換。

英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。

英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢和四相交錯Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了高功率密度的緊湊設(shè)計，內(nèi)置超小體積氮化鎵半橋驅(qū)動 IC INS2002 和雙面散熱低壓氮化鎵 INN100EA035A，效率高達(dá)98%，功率部分面積68mmx30mm，僅為智能手機(jī)（iphone 15）的1/5大小。

InnoGaN+Driver IC：小體積、低損耗的關(guān)鍵：與Si MOS相比，GaN具備更優(yōu)越的開關(guān)特性和更低的開關(guān)損耗, 可以帶來更高的轉(zhuǎn)換效率，更高的開關(guān)頻率，更小的磁性器件尺寸和濾波電容的體積，以及更高的功率密度。此次發(fā)布的兩款2kW 四相交錯降壓電源方案均采用4顆英諾賽科100V氮化鎵半橋驅(qū)動 IC（INS2002FQ）和16顆100V雙面散熱的低壓氮化鎵功率晶體管（INN100EA035A）。

INS2002FQ 采用英諾自研的 FCQFN 3mmx3mm 封裝，專為驅(qū)動GaN打造，十分適合高功率和高頻率應(yīng)用。該產(chǎn)品具備如下特點(diǎn)：

1）：內(nèi)置自舉電路BST鉗位電路，能夠保護(hù)GaN柵極在安全的驅(qū)動電壓范圍內(nèi)工作；
2）：單獨(dú)的驅(qū)動上拉和下拉輸出引腳，可分別調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷速度；
3）：支持3態(tài)PWM輸入，可以通過調(diào)節(jié)外部配置電阻靈活調(diào)節(jié)死區(qū)時間；
4）：和競品驅(qū)動相比，驅(qū)動能力更強(qiáng)，傳播延遲更低。

100V 氮化鎵增強(qiáng)型功率晶體管INN100EA035A，采用En-FCLGA3.3x3.3封裝，具備超低的導(dǎo)通電阻和雙面散熱特性，可以使能量損耗大幅降低的同時提升散熱能力，是實現(xiàn)高功率密度方案的關(guān)鍵。

四相交錯 Buck，提升系統(tǒng)效率：

英諾賽科2kW四相交錯降壓電源方案采用四相交錯Buck拓?fù)?，每相使?顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實現(xiàn)功率傳輸。

兩款方案分別采用雙耦合/四耦合電感，將傳統(tǒng)Buck方案中的分立電感替換為低耦合系數(shù)的耦合電感，有效降低了電感紋波電流，同時降低電感和電容體積，有助于提升系統(tǒng)功率密度，同時具有十分靈活的拓展功能。在輸入40Vdc-60Vdc，輸出12V/167A的條件下，兩款方案的最大輸出功率2000W。其中采用雙耦合電感的峰值效率為98%@1200W，滿載效率為97.6%@2000W；采用四耦合電感的峰值效率為98.1%@1000W，滿載效率為97.7%@2000W。功率級尺寸均為68*30*18mm。峰值效率和滿載效率均比市面上最好性能的Si MOSFET高1%以上。

英諾賽科此次開發(fā)的兩款降壓電源方案可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的服務(wù)器48V供電系統(tǒng)、新能源汽車48V供電架構(gòu)，以及工業(yè)和通信的電源模塊，借助氮化鎵的性能降低系統(tǒng)損耗，大幅提升效率，幫助實現(xiàn)低碳、節(jié)能發(fā)展。

FAQ：

1：氮化鎵INN100EA035A最大內(nèi)阻是多少？
INN100EA035A在環(huán)溫25度情況下，最大內(nèi)阻為3.5毫歐。

2：采用氮化鎵這個2KW四相交錯降壓電源方案，效率能做到多少?
該方案：輸入40Vdc-60Vdc，輸出12V/170A，峰值效率為97.92%@1.2kW，滿載效率為97.62%@2kW。

3：該方案，有一些什么保護(hù)功能？
該方案采用LTC7872，可以實現(xiàn)CC/CV控制，并具有輸入欠壓/過壓保護(hù)，輸出過壓/過流保護(hù)，輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能。

4：該方案中，INS2002FQ是做什么用的？
INS2002FQ是一款直驅(qū)GaN的芯片，內(nèi)部有針對上管自舉電路 BST 的鉗位電路，可以保護(hù) GaN的柵極，確保工作在安全的驅(qū)動電壓范圍內(nèi)，同時芯片具有VCC和BST欠壓鎖定、VCC過壓鎖定和過熱保護(hù)等功能。

5：該方案中，GaN的應(yīng)用優(yōu)勢有什以？
BUCK拓?fù)涫堑湫偷挠查_關(guān)拓?fù)洌娐分?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%99%A8%E4%BB%B6/">功率器件的開關(guān)損耗較大，GaN 作為第三代半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的特性，在相同的導(dǎo)通電阻Ron下，具有更小的Qoss和Qg，這就帶來了更低的開關(guān)損耗；此外GaN HEMT沒有反向恢復(fù)電荷Qrr，也就沒有反向恢復(fù)損耗。以上特性都帶來一個巨大優(yōu)勢，BUCK電路可以選擇更高的開關(guān)頻率開關(guān)頻率提高后，可以降低電感和電容的體積，提升功率密度。