柵漏電流（Gate Leakage Current）是指MOS場效應(yīng)管（MOSFET）中柵極和源極之間的漏電流。在實(shí)際使用中，由于工藝制造和設(shè)備的參數(shù)不可避免地存在一些偏差，從而導(dǎo)致柵漏電流的產(chǎn)生。

1.什么是柵漏電流

柵漏電流是由于MOSFET的柵結(jié)構(gòu)和附近區(qū)域存在濃度不均、缺陷等因素引起的電子隧穿或者熱發(fā)射等現(xiàn)象所形成的泄漏電流。其大小與柵電壓、晶體管制造工藝以及溫度等諸多因素有關(guān)。

2.柵漏電流的計(jì)算公式

柵漏電流是非常微弱的電流，一般情況下采用以下計(jì)算公式進(jìn)行估算：

$I_G=I_{G0}left(frac{T}{T_0}right)^nmathrm{exp}left[frac{-E_G}{k_B(T-T_0)}right]$

其中，$I_G$為柵漏電流，$I_{G0}$為溫度為$T_0$時(shí)的柵漏電流，$T$為當(dāng)前溫度，$n$為取決于MOSFET工藝和溫度的常數(shù)，$E_G$為帶隙能在絕對溫度下的值，$k_B$為玻爾茲曼常數(shù)。

3.柵漏電流受什么影響

柵漏電流大小主要受以下因素影響：

• 柵電壓：柵電壓越高，隧穿概率越大，柵漏電流也會(huì)相應(yīng)增加。
• 溫度：溫度越高，電子具有更多的熱能，更容易通過勢壘層，同時(shí)缺陷態(tài)密度也會(huì)增加，導(dǎo)致柵漏電流上升。
• 晶體管制造工藝：制造工藝差異會(huì)導(dǎo)致晶體管中缺陷原子等存在濃度不同，從而導(dǎo)致柵漏電流的大小不同。