近日，云南鍺業(yè)發(fā)布公告稱，公司控股子公司云南鑫耀半導體材料有限公司（以下簡稱“鑫耀半導體”）實施的“磷化銦單晶片建設項目”已經(jīng)正式投產(chǎn)。

4英寸磷化銦單晶片產(chǎn)線投產(chǎn)、6英寸項目正在研發(fā)試制

根據(jù)此前公告披露，磷化銦單晶片建設項目總投資3.24億元，由鑫耀半導體在昆明高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)馬金鋪電力裝備園B-5-5地塊云南國家鍺材料基地內(nèi)建設一條磷化銦單晶片生產(chǎn)線，項目建設期24個月。

該項目的實施內(nèi)容還包括已完成的“5萬片/年2英寸磷化銦單晶及晶片產(chǎn)業(yè)化建設項目”（下稱“2英寸項目”）。云南鍺業(yè)表示，在2英寸項目的基礎上，將實現(xiàn)4英寸磷化銦單晶及晶片的產(chǎn)業(yè)化。項目生產(chǎn)線建成后將具備年產(chǎn)15萬片4英寸磷化銦單晶片的能力。

除了披露已經(jīng)投產(chǎn)的4英寸磷化銦單晶片項目，近日，云南鍺業(yè)還披露了6英寸磷化銦單晶技術項目的進展。云南鍺業(yè)在互動平臺上表示，6英寸磷化銦單晶技術項目是公司為應對將來市場需求升級而進行的技術儲備，目前該項目尚在研發(fā)試制過程中。

華為持股23.91%、哈勃科技關聯(lián)方供應有保障

資料顯示，鑫耀半導體成立于2013年，是云南鍺業(yè)旗下控股子公司，主要負責化合物半導體材料砷化鎵晶片（襯底）、磷化銦晶片（襯底）的研發(fā)和生產(chǎn)，產(chǎn)品被廣泛應用于垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探測器等領域。

2021年鑫耀半導體砷化鎵晶片、磷化銦晶片開始向下游客戶批量供貨，并實現(xiàn)營業(yè)收入7097.72萬元，營業(yè)利潤1784.66萬元。

值得一提的是，作為國家工信部認定的專精特新“小巨人”企業(yè)，鑫耀半導體還獲得了華為旗下半導體投資平臺哈勃科技的增資入股。

2021年初，哈勃科技以貨幣方式向鑫耀半導體增資3,000萬元，增資完成后哈勃科技持有鑫耀公司23.91%的股權，為第二大股東。

云南鍺業(yè)表示，哈勃科技入股公司控股子公司，將進一步加強與下游廠商的溝通與協(xié)作，有利于鑫耀公司產(chǎn)品質(zhì)量的提升和推動其市場開拓工作，鑫耀半導體將向哈勃科技關聯(lián)方提供砷化鎵及磷化銦襯底，并保障供應，對方則通過對相關產(chǎn)品的實際應用為鑫耀公司提供技術及產(chǎn)品驗證上的反饋。

國內(nèi)政企合力、加速布局第二代半導體材料

據(jù)悉，砷化鎵和磷化銦都屬于第二代半導體材料，其中，砷化鎵憑借高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，被廣泛應用于光通信、高頻毫米波器件、光電器件、光電集成電路集成激光器、光探測器等領域，而磷化銦產(chǎn)品則在射頻、光電子、移動通信、數(shù)據(jù)通信等多項領域的廣泛應用。

集邦咨詢半導體分析師龔瑞驕透露，高端磷化銦和砷化鎵材料主要用于光通信、激光器、探測器以及射頻器件等領域。

縱觀國內(nèi)市場，雖然以碳化硅/氮化鎵為主的第三代化合物半導體已經(jīng)成為研發(fā)主流，但近年來，國內(nèi)地方政府和相關企業(yè)正在加速第二代化合物半導體材料的研發(fā)。

例如，重慶市政府今年3月印發(fā)的《重慶市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃（2021—2025年）》中明確提出，積極發(fā)展化合物半導體，提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導體材料制造能力、產(chǎn)能和化合物半導體芯片生產(chǎn)線良品率，發(fā)展激光器芯片、光電器件等產(chǎn)品。

同時，相關企業(yè)也已經(jīng)正式向資本市場發(fā)起沖擊，其中，華為哈勃持股3.74%的長光華芯已于今年4月1日正式登陸科創(chuàng)板，北京通美晶體的科創(chuàng)板申請則已完成首輪問詢。此外，華燦光電、有研新材、以及三安光電等A股公司在砷化鎵領域也有涉足。

未來，隨著5G通信、可穿戴設備、光通信、人工智能、無人駕駛等領域的發(fā)展，化合物半導體材料市場規(guī)模將逐步擴大，國內(nèi)相關企業(yè)也將進一步實現(xiàn)突破。

文 |  全球半導體觀察 禾忍