2020 年 3 月 27 日，昆山市科技創(chuàng)新發(fā)展推進會暨祖沖之攻關計劃表彰儀式舉行。

華天科技（昆山）電子有限公司的“12 英寸圓片級高密度硅基扇出型封裝技術的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目榮獲首屆“金π獎”，也是唯一獲得金π獎的項目。

華天昆山 2015 年開始扇出封裝技術開發(fā)，2018 年開發(fā)成功具有自主知識產(chǎn)權的埋入硅基板扇出型封裝技術 eSiFO?（embedded Silicon Fan-out）并進入量產(chǎn)。與使用模塑料塑封不同，eSiFO?使用硅基板為載體，通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定于凹槽內(nèi)，芯片表面和硅圓片表面構成了一個扇出面，在這個面上進行多層布線，并制作引出端焊球，最后切割，分離、封裝。

華天科技 eSiFO?示意圖

eSiFO?技術具有如下優(yōu)點：

可以實現(xiàn)多芯片系統(tǒng)集成 SiP，易于實現(xiàn)芯片異質集成

滿足超薄和超小芯片封裝要求

與標準晶圓級封裝兼容性好，無污染

良好的散熱性和電性

可以在有源晶圓上集成

工藝簡單，翹曲小，無塑封 / 臨時鍵合 / 拆鍵合

封裝靈活：WLP/BGA/LGA/QFP 等

與 TSV 技術結合可實現(xiàn)高密度三維集成

由于技術的創(chuàng)新型和巨大應用潛力，2018 年 3 月獲評集成電路產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟創(chuàng)新獎。

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該技術目前有三個主要應用領域，多芯片系統(tǒng)級封裝，5G 毫米波射頻以及三維扇出堆疊。在 5G 射頻領域，其中多芯片堆疊產(chǎn)品包括 4G 射頻前端，毫米波芯片。2018 年 11 月，華天科技與微遠芯發(fā)布新聞，成功完成 40GHz 毫米波 eSiFO?封裝技術開發(fā)，性能優(yōu)異。

2018 年華天昆山進一步開發(fā)了基于硅基板的三維扇出技術，值得一體的是埋入硅基板扇出型 3D 封裝結構已獲得國家發(fā)明專利授權（授權號 CN105575913B）。該技術的特點是利用 TSV 作為垂直互聯(lián)，互連密度可以大大高于目前的臺積電 InFO 技術。

臺積電與華天三維晶圓級技術比較

eSiFO?封裝技術為后摩爾時代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案，隨著產(chǎn)品應用的不斷豐富，必將推動整個行業(yè)的技術發(fā)展。