與非網 10 月 22 日訊，SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16Gb DDR4 動態(tài)隨機存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內單芯最大密度的紀錄。與上一代 1Y nm 產品相比，其產能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。

此外，新型 1Z nm DRAM 還支持高達 DDR4-3200 的數據傳輸速率。與使用 1Y nm 工藝打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模塊相比，其能耗更是降低了 40% 。

什么是 1Xnm，1Ynm 和 1Znm

在內存工藝進入 20nm 之后，由于制造難度越來越高，內存芯片公司對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代 1Xnm 節(jié)點去升級 DRAM，由此稱為 1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上 1Xnm 工藝相當于 16-19nm 級別、1Ynm 相當于 14-16nm，1Znm 工藝相當于 12-14nm 級別。

重要的是，第三代產品使用了上一代生產過程中未使用的新材料來增加電容，電容是指存儲電荷的數量 / 容量。隨著 DRAM 電容的增加，數據的保留時間和一致性也會增加，這是 DRAM 的關鍵要素。另外，已經引入了新的設計技術以提高穩(wěn)定性。

SK Hynix 表示：第三代 10nm 級 DDR4 是滿足行業(yè)客戶尋求高性能 / 大容量 DRAM 的最佳產品，我們將在今年內做好批量生產的準備，并于 2020 年開始全面供應，并將積極響應市場需求。

同時，SK 海力士計劃將第三代 10nm 級技術擴展到各種應用，例如下一代移動 LPDDR5 和 HBM3。HBM 是一種高性能產品，使用 TSV 技術作為高帶寬存儲器，比傳統(tǒng) DRAM 數據處理速度更快。