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美光出貨全球首款基于 1γ(1-gamma)制程節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存,賦能移動 AI 應(yīng)用

06/06 11:00
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美光 LPDDR5X 內(nèi)存專為旗艦智能手機設(shè)計,以業(yè)界領(lǐng)先的超薄封裝提供高速等級并顯著降低功耗

美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)宣布已開始出貨全球首款采用 1γ(1-gamma)制程節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存認證樣品。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機上的 AI 應(yīng)用而設(shè)計。美光 LPDDR5X 內(nèi)存具備業(yè)界領(lǐng)先的速率,達到每秒 10.7 Gb(Gbps),同時功耗可降低高達 20%1,為智能手機帶來更快、更流暢的移動體驗和更強的續(xù)航,即使在執(zhí)行如 AI 翻譯或圖像生成等數(shù)據(jù)密集型任務(wù)時也不例外。

為滿足業(yè)界對新一代智能手機緊湊型解決方案日益增長的需求,美光工程師已成功將 LPDDR5X 的封裝尺寸縮小至業(yè)界領(lǐng)先的 0.61 毫米2,較競品輕薄 6%3,較前一代產(chǎn)品高度降低 14%4。小型規(guī)格尺寸為智能手機制造商實現(xiàn)超薄或可折疊設(shè)計提供了更多可能。

美光企業(yè)副總裁暨手機和客戶端業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理 Mark Montierth 表示:“美光基于 1γ(1-gamma)節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存將為移動行業(yè)帶來顯著變革。這項突破性技術(shù)憑借業(yè)界超薄的 LPDDR5X 封裝實現(xiàn)了卓越的速率和能效,為新一代智能手機的創(chuàng)新設(shè)計開辟新契機。該解決方案彰顯了美光致力于賦能生態(tài)系統(tǒng)、打造非凡移動體驗的承諾?!?/p>

美光基于 1γ(1-gamma)節(jié)點的 LPDDR5X 為移動設(shè)備帶來顯著的性能躍升,加速 AI 洞察,提供更卓越的使用體驗。例如,在基于大型語言模型 Llama 2 的移動 AI 響應(yīng)時間測試中,相比基于 1β(1-beta)節(jié)點、帶寬為 7.5 Gbps 的 LPDDR5X,基于 1γ 節(jié)點、帶寬達 10.7 Gbps 的 LPDDR5X 可帶來以下提升:5

  • 在詢問基于地點的餐廳推薦時,回應(yīng)速度提升 30%
  • 使用導(dǎo)航功能時,將英語語音查詢轉(zhuǎn)譯為西班牙語文字的回應(yīng)速度可提升 50% 以上
  • 在根據(jù)車型、預(yù)算范圍以及特定信息娛樂與安全功能詢問汽車采購建議時,回應(yīng)速度最高可提升25%6

美光基于 1γ 的 LPDDR5X 是公司首款采用先進 EUV 光刻技術(shù)的移動解決方案,目前正在美光的移動產(chǎn)品組合中逐步采用。該產(chǎn)品依托業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存節(jié)點技術(shù),讓客戶能夠率先體驗性能與能效的突破。這項重要進展是在美光今年二月針對數(shù)據(jù)中心和客戶端細分市場下一代 CPU 提供的 1γ DDR5 內(nèi)存樣品基礎(chǔ)上取得的。美光優(yōu)化的 1γ DRAM 節(jié)點采用了 CMOS 技術(shù)7,如用于提升晶體管性能的新一代 HKMG(高 K 金屬柵極)技術(shù),并采用領(lǐng)先的 EUV 光刻工藝提升容量密度。

能耗密集型的移動 AI 工作負載越來越多地在端側(cè)設(shè)備上處理,而非僅依賴云端。低功耗芯片對于執(zhí)行 AI 運算時需要兼顧出色能效的智能手機、平板電腦筆記本電腦等設(shè)備至關(guān)重要。

美光基于 1γ 的 LPDDR5X 可顯著節(jié)省 20% 的功耗,使移動設(shè)備用戶單次充電即可更持久暢享 AI 應(yīng)用、游戲和視頻內(nèi)容。此外,隨著 AI 應(yīng)用對高性能、低功耗計算需求的不斷增長,數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、智能汽車和 AI PC 等設(shè)備也可能越來越多地采用 LPDDR5X 內(nèi)存,以獲得其兼具高性能與高能效的卓越優(yōu)勢。

目前,美光已向特定合作伙伴送樣基于 1γ 節(jié)點的 LPDDR5X 16GB 產(chǎn)品,并將提供從 8GB 至 32GB 的多種容量用于 2026 年的旗艦智能手機。

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