電快速瞬變脈沖群（EFT）抗擾度是一種通用性強(qiáng)、測(cè)試方便、能高效暴露風(fēng)險(xiǎn)的EMS測(cè)試項(xiàng)目——通過(guò)模擬電網(wǎng)拉弧產(chǎn)生的一系列快速高壓尖峰脈沖來(lái)評(píng)估產(chǎn)品對(duì)瞬態(tài)高壓耐受能力同時(shí)暴露產(chǎn)品對(duì)瞬態(tài)射頻電場(chǎng)的耐受風(fēng)險(xiǎn)。本文對(duì)EFT脈沖的能量和頻譜進(jìn)行了分析和實(shí)測(cè)，對(duì)EFT耦合產(chǎn)生的電場(chǎng)進(jìn)行了評(píng)估，對(duì)工程中較為實(shí)用的近場(chǎng)探頭電場(chǎng)注入、直接注入進(jìn)行了介紹，并推薦利用波形發(fā)生器模擬EFT脈沖直接注入的診斷分析方法和EFT防護(hù)器件的實(shí)測(cè)方法供大家在EMC開(kāi)發(fā)中參考。

一、 EFT的評(píng)估與頻譜測(cè)量

干擾脈沖的嚴(yán)酷程度可以從頻譜幅值、頻譜寬度、頻譜密度、功率譜等維度來(lái)進(jìn)行評(píng)估，所以進(jìn)行EFT問(wèn)題診斷分析首先需要了解EFT脈沖的能量等級(jí)和頻譜分布。

1.1 EFT的能量等級(jí)和嚴(yán)酷程度分析

EFT脈沖的參數(shù)由基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-4定義，EMC測(cè)試機(jī)構(gòu)的EFT發(fā)生器校準(zhǔn)結(jié)果要符合標(biāo)準(zhǔn)要求從而保證測(cè)試結(jié)果重復(fù)性和可靠性。

圖1 EFT標(biāo)準(zhǔn)發(fā)生器和波形

圖2 EFT實(shí)際校準(zhǔn)波形

從圖1 EFT標(biāo)準(zhǔn)中的發(fā)生器原理構(gòu)造和EFT標(biāo)準(zhǔn)波形可以看出EFT屬于典型的高電壓（0-4kV），短時(shí)瞬發(fā)(5/50nS)，內(nèi)阻較大(50Ω)且僅采用共模注入的抗擾度測(cè)試。EFT測(cè)試每秒輸出250個(gè)脈沖，單個(gè)脈沖能量集中在50納秒以內(nèi)，脈沖能量可以精確計(jì)算也或利用示波器進(jìn)行測(cè)量，也可以簡(jiǎn)化為三角形計(jì)算：以2kV為例，單脈沖峰值功率； 單脈沖能量；脈沖群平均能量為：。因此EFT是一種瞬態(tài)峰值功率很大但脈沖能量和總能量較小的干擾，破壞性不強(qiáng)，但是并不意味著EFT干擾能力弱，EFT的瞬態(tài)的干擾能量以高頻電場(chǎng)的形式發(fā)射到電磁環(huán)境的，需要從EFT頻譜分布來(lái)評(píng)估EFT脈沖真實(shí)干擾能力。

1.2 EFT頻譜的寬度分析

注入信號(hào)頻譜的寬度是抗擾度測(cè)試中非常重要的參數(shù)，EMS抗擾度測(cè)試使用不同的注入測(cè)試方法來(lái)注入不同的干擾頻譜，如傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試150kHz-80MHz的連續(xù)波適合使用耦合去耦網(wǎng)絡(luò)直接對(duì)線纜注入，對(duì)于輻射抗擾度測(cè)試對(duì)于80MHz以上的信號(hào)則采用天線電場(chǎng)注入。EMS信號(hào)頻率越高空間耦合能力越強(qiáng)對(duì)受測(cè)設(shè)備的內(nèi)部影響也越大。我們以80MHz為參考分界判斷干擾的的主要傳輸路徑，80MHz以下線纜傳輸穩(wěn)定，而80MHz以上空間的發(fā)射更復(fù)雜，因此評(píng)估EFT對(duì)受測(cè)設(shè)備的干擾耦合方式和強(qiáng)度要對(duì)EFT干擾頻譜的幅度和寬度進(jìn)行分析，我們可以利用脈沖波形的傅里葉變換近似計(jì)算來(lái)評(píng)估。

圖3 周期信號(hào)波形與頻譜的關(guān)系

由圖3周期信號(hào)波形與頻譜的關(guān)系我們可以推導(dǎo)出EFT脈沖重復(fù)率5k或者100kHz對(duì)低次頻譜有影響，但頻譜的寬度主要由脈沖寬度和上升下降時(shí)間決定，因此脈寬TH =50nS決定EFT脈沖的頻譜第一轉(zhuǎn)折點(diǎn)，上升下降時(shí)間tr =5nS決定第二轉(zhuǎn)折點(diǎn)64MHz，計(jì)算500V EFT脈沖在第一轉(zhuǎn)折點(diǎn)6.4MHz之前的低次諧波幅值為：（按三角波近似計(jì)算），因此64MHz為108dBμV（10倍頻降低20dB）, 640MHz有 68dBμV（10倍頻降低40dB）。理論推導(dǎo)出EFT脈沖的頻譜非常寬，但我們還需要通過(guò)實(shí)測(cè)來(lái)驗(yàn)證。

1.3 EFT頻譜的實(shí)測(cè)

對(duì)于EFT頻譜的實(shí)測(cè)，示波器量能夠測(cè)量EFT脈沖波形但不能輸出頻譜，頻譜儀能夠輸出頻譜但不能耐受瞬態(tài)高壓，因此我們需要利用高壓同軸衰減器將EFT信號(hào)衰減到一定程度才能送入頻譜儀進(jìn)行EFT頻譜實(shí)測(cè)，以下是EFT頻譜測(cè)試布置和衰減器校準(zhǔn)布置。

圖4 EFT的頻譜測(cè)量與衰減器校準(zhǔn)

圖4的左圖我們利用20dB 50W衰減器進(jìn)行第一級(jí)衰減，利用20dB 5W衰減器進(jìn)行第二級(jí)衰減， 500V EFT信號(hào)經(jīng)過(guò)40dB衰減（100倍）和50Ω內(nèi)阻分壓之后峰值電壓為2.5V，可以用示波器和頻譜分析儀直接測(cè)量EFT的時(shí)域波形和頻譜波形。圖4的右圖中兩個(gè)衰減器組合的校準(zhǔn)系數(shù)為-40dB，因此我們需要對(duì)頻譜分析儀得到的頻譜進(jìn)行40dB補(bǔ)償。

圖5 500V EFT衰減40dB后的測(cè)量頻譜

圖5的頻譜經(jīng)過(guò)40dB的衰減，我們進(jìn)行補(bǔ)償之后可以得到500V EFT脈沖100kHz的頻譜低次諧波幅值為128dBμV，第一轉(zhuǎn)折點(diǎn)6.4M幅值118dBμV，第二轉(zhuǎn)折點(diǎn)64MHz幅值低20dB，為98dBμV, 考慮50Ω的分壓6dB，實(shí)測(cè)結(jié)果幅值與我們的理論分析值接近。更高的EFT電壓會(huì)使得頻譜幅值相應(yīng)上升，會(huì)使得64-640MHz輻射頻段的幅值相應(yīng)上升。因此實(shí)測(cè)結(jié)果與理論分析都表明EFT脈沖高頻成分豐富，而高頻能量并不依賴(lài)沿線纜傳播還可以通過(guò)空間直接發(fā)射，因此在EFT測(cè)試并不僅僅是線纜的共模注入還必定伴有高頻電場(chǎng)干擾。

1.4 利用天線對(duì)EFT的電場(chǎng)頻譜和強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量

對(duì)EFT干擾電場(chǎng)進(jìn)行實(shí)測(cè)有利于我們更直觀評(píng)估EFT的干擾能力。EFT注入可以采用CDN對(duì)50cm長(zhǎng)的電源線纜進(jìn)行直接注入，也可以用容性耦合夾對(duì)信號(hào)線纜進(jìn)行耦合注入，兩種方式EFT脈沖都能產(chǎn)生相應(yīng)的高頻電場(chǎng)。這里我們采用容性耦合夾耦合來(lái)對(duì)EFT的耦合能力和產(chǎn)生的電場(chǎng)進(jìn)行評(píng)估。

圖6 EFT耦合電場(chǎng)的測(cè)量布置和實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

如上圖6左圖所示，EFT脈沖發(fā)生器通過(guò)容性耦合夾對(duì)長(zhǎng)度3米放置在0.8米木桌上兩端下垂的金屬線纜進(jìn)行耦合，線纜輻射出的EFT電場(chǎng)被距離3米的雙錐天線接收并由EMI接收機(jī)測(cè)量。圖6右圖是實(shí)測(cè)500V ETF信號(hào)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)100p容性耦合夾耦合能在3米距離30-500MHz頻段產(chǎn)生最大80dBuV/m的電場(chǎng)，可以看出EFT的耦合能力、干擾電場(chǎng)強(qiáng)度很強(qiáng)同時(shí)頻譜范圍很寬。EFT實(shí)際測(cè)試中注入等級(jí)更高EUT距離更近因此EFT電場(chǎng)干擾更強(qiáng)，因此很多EFT問(wèn)題中不但要考慮沿線纜的注入還需要考慮由于電纜發(fā)射而產(chǎn)生的電場(chǎng)干擾，尤其沒(méi)有金屬屏蔽的產(chǎn)品需要特別注意EFT電場(chǎng)對(duì)內(nèi)部電路的直接干擾。

二、 EFT問(wèn)題的診斷分析方法

通過(guò)對(duì)EFT的脈沖能量、頻譜、耦合能力、電場(chǎng)強(qiáng)度的分析和測(cè)試我們可以知道EFT干擾主要分沿線纜傳導(dǎo)的共模干擾和通過(guò)線纜產(chǎn)生的電場(chǎng)直接耦合兩種方式。大部分的EFT問(wèn)題是第一類(lèi)的干擾，可以通過(guò)優(yōu)化濾波的方式進(jìn)行處理，如修改濾波器參數(shù)，優(yōu)化走線位置或增加線纜磁環(huán)等方法在測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)快速進(jìn)行優(yōu)化和處理，第二類(lèi)干擾問(wèn)題出現(xiàn)較少但是分析難度卻是最大的，EFT電場(chǎng)對(duì)內(nèi)部敏感電路產(chǎn)生干擾在缺乏分析工具輔助的情況下很難快速有效解決。

復(fù)雜的EFT干擾問(wèn)題的診斷分析依賴(lài)于干擾敏感點(diǎn)的定位，因此將EFT信號(hào)施加到PCB近場(chǎng)通過(guò)復(fù)現(xiàn)干擾現(xiàn)象來(lái)定位特定電路點(diǎn)是解決EFT問(wèn)題的關(guān)鍵。目前行業(yè)內(nèi)常利用EFT發(fā)生器或EFT模擬源配合近場(chǎng)探頭進(jìn)行電磁場(chǎng)注入進(jìn)行診斷分析，由于探頭不接觸電路因此相對(duì)安全，但探頭的特性對(duì)近場(chǎng)電場(chǎng)強(qiáng)度和頻譜有很大影響并不能確保復(fù)現(xiàn)問(wèn)題，因此另外一類(lèi)直接注入的方法也被開(kāi)發(fā)用于EFT問(wèn)題的診斷分析。直接注入的方法可以利用EFT發(fā)生器配合衰減器進(jìn)行直接注入，也可以利用波形發(fā)生器進(jìn)行模擬EFT頻譜進(jìn)行直接注入，在PCB板級(jí)EFT問(wèn)題的診斷分析上很大的優(yōu)勢(shì)。

2.1利用近場(chǎng)探頭進(jìn)行近場(chǎng)注入

當(dāng)實(shí)驗(yàn)室EFT測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)EFT問(wèn)題時(shí)，可以采用EFT發(fā)生器配合高衰減的近場(chǎng)探頭進(jìn)行近場(chǎng)注入這種簡(jiǎn)便方法來(lái)快速探測(cè)薄弱點(diǎn)，在很多情況下可以快速診斷分析問(wèn)題。這種應(yīng)用下并不需要對(duì)探頭的耦合能力和注入電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行控制，只需要提高EFT注入電壓來(lái)確保近場(chǎng)注入復(fù)現(xiàn)問(wèn)題，但如果需要深入擴(kuò)展這個(gè)方法的應(yīng)用就需要對(duì)探頭的耦合能力和實(shí)際注入的頻譜范圍和場(chǎng)強(qiáng)等級(jí)進(jìn)行測(cè)量。

圖7 利用近場(chǎng)探頭注入和注入頻譜結(jié)果

圖7左圖是利用一組相同的高阻近場(chǎng)探頭來(lái)進(jìn)行EFT注入同時(shí)進(jìn)行頻譜測(cè)量，右圖可以看出500V的注入得到了約40dBuV的電壓頻譜信號(hào)，頻譜寬度和包絡(luò)與預(yù)期相符。通過(guò)測(cè)量探頭的衰減系數(shù)，我們就能補(bǔ)償系數(shù)從而得到探頭實(shí)際注入的電場(chǎng)強(qiáng)度。

圖8 近場(chǎng)探頭的耦合系數(shù)校準(zhǔn)和耦合系數(shù)

圖8左圖是利用網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)該組近場(chǎng)探頭耦合系數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)的測(cè)試布置，右圖是實(shí)際S21測(cè)試數(shù)據(jù)，該對(duì)數(shù)差值除2即為單個(gè)探頭的耦合系數(shù)。以10MHz為例，探頭系數(shù)為30dB（60/2），頻譜讀值35dBuV, 表明該探頭能夠?qū)?00V EFT脈沖注入到接觸點(diǎn)的電路中耦合出65dBuV干擾電壓。為保護(hù) EFT發(fā)生器，近場(chǎng)注入探頭需要采用高阻電場(chǎng)探頭，不建議接入未知阻抗的探頭，但是50Ω的同軸衰減器可以直接匹配EFT輸出，因此可以利用同軸衰減這種方法進(jìn)行注入。

2.2 利用高壓衰減器進(jìn)行直接注入的電路分析方法

利用EFT干擾進(jìn)行直接注入可以獲得更高的注入電平和更精確的敏感電路判斷，因此診斷分析的效率更高，可以作為解決EFT抗擾度問(wèn)題的通用方法。但EFT信號(hào)高電壓脈沖會(huì)損毀電路器件，因此不能直接注入到電路PCB板，需要使用高壓衰減器對(duì)進(jìn)行衰減和隔離之后才可以對(duì)電路進(jìn)行注入，而且為了保證發(fā)生器和電路安全也只能采用共模注入的方式。實(shí)際應(yīng)用可以采用40dB-60dB的高壓衰減器對(duì)EFT信號(hào)進(jìn)行衰減并利用隔離電容進(jìn)行隔離之后對(duì)PCB板級(jí)電路進(jìn)行共模直接注入，這種方法在研發(fā)工作環(huán)境下有很高的診斷分析效率，但所需的專(zhuān)業(yè)設(shè)備和輔助工具較多實(shí)施也較為復(fù)雜，在此不做詳細(xì)介紹，而利用波形發(fā)生器進(jìn)行直接注入的方法更為簡(jiǎn)便安全，可以作為參考。

2.3利用波形發(fā)生器進(jìn)行直接注入的電路分析方法

波形發(fā)生器可以模擬EFT脈沖波形，并且輸出也在小信號(hào)電路的安全電壓范圍，同時(shí)很容易實(shí)現(xiàn)接地隔離，在成本、便利性、安全性上有很大優(yōu)勢(shì)。波形發(fā)生器采用100kHz方波脈沖，調(diào)整占空比使得脈寬50nS，將上升下降時(shí)間調(diào)到5nS即可模擬出EFT的頻譜，而10mVpp值的輸出就能達(dá)到80dBμV的注入電壓，因此能夠模擬注入非常高的EFT干擾能量確保復(fù)現(xiàn)干擾現(xiàn)象。利用示波器和頻譜儀確認(rèn)波形和頻譜模擬正常之后就可以參考以下布置示意圖進(jìn)行PCB電路的EFT問(wèn)題診斷分析。

圖9 ?波形發(fā)生器模擬EFT脈沖頻譜進(jìn)行直接注入

圖9的示意圖中波形發(fā)生器輸出端接3-10dB的衰減器可以提供部分雙向過(guò)壓保護(hù)，隔離電容可以先擇EFT標(biāo)準(zhǔn)中采用的22nF電容對(duì)直流電壓進(jìn)行隔離，接入金屬探針就能對(duì)電路內(nèi)部進(jìn)行注入探測(cè)，并且可以同步利用電流探頭和頻譜儀確認(rèn)脈沖注入正常。

由于復(fù)雜的EFT干擾問(wèn)題都是內(nèi)部小信號(hào)電路受到干擾產(chǎn)生的，因此通過(guò)這個(gè)方法可以快速?gòu)?fù)現(xiàn)并定位電路內(nèi)部對(duì)于EFT脈沖的敏感電路，如芯片電源，時(shí)鐘信號(hào)，復(fù)位信號(hào)，同步信號(hào)，控制電路, 電壓電流采樣,保護(hù)采樣, 反饋控制電路，驅(qū)動(dòng)信號(hào),通訊電路等，通過(guò)逐步降低注入等級(jí)直到找到最終最敏感的源頭并且進(jìn)行設(shè)計(jì)的優(yōu)化和確認(rèn)。EFT問(wèn)題的診斷分析中的各種實(shí)踐方法中只有這種方法直接針對(duì)系統(tǒng)中最薄弱的敏感點(diǎn)，通過(guò)優(yōu)化短板提高系統(tǒng)整體的抗擾能力，同時(shí)這種方法并不依賴(lài)實(shí)驗(yàn)室EFT發(fā)生器資源只需要常見(jiàn)的硬件設(shè)備工具就能在研發(fā)場(chǎng)地進(jìn)行診斷分析和優(yōu)化，能夠可以讓工程師從容調(diào)配資源應(yīng)對(duì)從而減小研發(fā)成本、項(xiàng)目進(jìn)度、測(cè)試資源等壓力。由于利用波形發(fā)生器進(jìn)行EFT頻譜直接注入的方法搭建便利、診斷效率高、且非常安全，因此可以作為EFT干擾類(lèi)問(wèn)題的通用解決方法。

2.4利用天線進(jìn)行近場(chǎng)電場(chǎng)注入復(fù)現(xiàn)問(wèn)題的方法

由于EFT頻譜存在大量的30MHz以上的高頻分布，且EFT發(fā)生器的內(nèi)阻能夠與天線的阻抗匹配，因此EFT脈沖天然就具備利用天線進(jìn)行直接電場(chǎng)注入的條件，所以我們可以利用天線直接注入對(duì)大型復(fù)雜系統(tǒng)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)的EFT預(yù)測(cè)試和診斷分析。

圖10 EFT電場(chǎng)注入和用于EFT電場(chǎng)注入天線的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)

圖10左圖是使用注入天線進(jìn)行EFT電場(chǎng)注入的校準(zhǔn)布置。EFT注入使用的雙錐天線需要對(duì)阻抗進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)以保證注入效率，圖10右圖是使用網(wǎng)絡(luò)分析儀比對(duì)測(cè)試了EFT注入的天線和測(cè)量天線R&S HK116的電壓駐波比參數(shù)和兩組天線的場(chǎng)地衰減系數(shù)的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，可以看出EFT注入天線在30-80MHz頻段的VSWR要更優(yōu)，能夠更高效將EFT高頻能量發(fā)射出去從而建立干擾電場(chǎng)。

圖11 400V EFT 注入雙錐天線在3米距離產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)

圖11是利用HK116測(cè)試得到400V EFT信號(hào)通過(guò)EFT注入天線在3米測(cè)試距離上產(chǎn)生的達(dá)到80dBμV/m電場(chǎng)，說(shuō)明這個(gè)天線能夠利用EFT的高頻能量建立一個(gè)很強(qiáng)的寬頻干擾電場(chǎng)。由于移動(dòng)注入天線的位置和距離可以改變EFT注入的電場(chǎng)強(qiáng)度，因此也可以利用這種方法來(lái)分析大型系統(tǒng)EFT敏感部件的大致位置，這種EFT天線電場(chǎng)注入的方法可以作為大型復(fù)雜系統(tǒng)EFT預(yù)測(cè)試和診斷分析的一種備用方法。

三、 EFT防護(hù)器件的防護(hù)性能實(shí)測(cè)方法

EFT問(wèn)題的診斷分析中防護(hù)器件的真實(shí)表現(xiàn)也是診斷分析和設(shè)計(jì)中非常重要的參考信息。可以參考以下方法對(duì)各種相關(guān)器件進(jìn)行EFT防護(hù)性能的實(shí)測(cè)。

圖12 EFT防護(hù)器件的性能實(shí)測(cè)方法示意圖

圖12是利用EFT信號(hào)發(fā)生器、帶衰減器的示波器、50歐的同軸夾具組成的EFT防護(hù)器件的插入損耗測(cè)試系統(tǒng)的示意圖。這個(gè)測(cè)試方法可以對(duì)濾波器、電感磁環(huán)、電容、TVS、MOV、ESDA等器件的EFT響應(yīng)進(jìn)行實(shí)測(cè)，以下以TVS為例。

a.1000V 初始ETF信號(hào)

b.插入TVS吸收之后的接收到的信號(hào)

圖13 雙向TVS對(duì)500VEFT的吸收效果

TVS器件是常見(jiàn)的電壓鉗位器件，常用于關(guān)鍵信號(hào)過(guò)壓保護(hù)，也用于EFT防護(hù)電路的共模脈沖抑制。圖13左圖是1000V EFT信號(hào)的初始波形，右圖是插入標(biāo)稱(chēng)100V TVS之后的EFT殘壓波形，可以看出TVS對(duì)脈沖群中的每一個(gè)脈沖信號(hào)都能夠快速響應(yīng)并且將峰值電壓由1000V鉗位到100V。不同的器件會(huì)有不同的EFT響應(yīng)，通過(guò)對(duì)器件的EFT性能實(shí)測(cè)能夠?yàn)橄鄳?yīng)的電路設(shè)計(jì)提供指導(dǎo)（后續(xù)再對(duì)該部分進(jìn)行詳細(xì)介紹）。

小結(jié)

波形、頻譜的分析和實(shí)測(cè)表明EFT是一種破壞性弱但干擾能力很強(qiáng)的共模脈沖干擾，能夠通過(guò)線纜沿端口電路向內(nèi)傳導(dǎo)共模電壓，也可以通過(guò)空間輻射高頻電場(chǎng)直接對(duì)內(nèi)部信號(hào)處理電路產(chǎn)生干擾，因此我們?cè)诠こ虒?shí)踐中需要注意以下幾點(diǎn)：

1. EFT能量在1W以下，直接損壞器件的可能性較小，器件損壞失效性原因應(yīng)優(yōu)先考慮干擾導(dǎo)致誤動(dòng)作損壞而不是直接EFT擊穿損壞；

2. 直接承受EFT能量的器件和電路抗EFT低頻共模干擾能力都很強(qiáng)，如輸入濾波器對(duì)于EFT傳導(dǎo)頻段的干擾有很強(qiáng)的抑制能力，但EFT高頻干擾耦合和轉(zhuǎn)換能力很強(qiáng)，需要通過(guò)高頻抑制來(lái)提高EFT抗擾能力，如濾波器高頻抑制不足時(shí)可以在內(nèi)部線纜上增加鎳鋅材質(zhì)磁環(huán)提升高頻共模抑制能力，這是常用的解決沿線纜的的高頻EFT干擾問(wèn)題的方便有效手段；

3. EFT需要通過(guò)注入線纜作為天線來(lái)產(chǎn)生干擾電場(chǎng)，因此將長(zhǎng)度過(guò)長(zhǎng)的線纜控制在標(biāo)準(zhǔn)要求的50cm長(zhǎng)度能夠降低產(chǎn)生的電場(chǎng)干擾，將線纜貼近接地參考面也能有效減小EFT干擾電場(chǎng)，因此在EFT測(cè)試中合理裁剪輸入電纜長(zhǎng)度和合理布置走線也可以作為潛在的規(guī)避測(cè)試問(wèn)題的手段；

4. EFT的電場(chǎng)干擾需要通過(guò)電場(chǎng)屏蔽來(lái)抑制，因此無(wú)屏蔽的產(chǎn)品需要在設(shè)計(jì)之初就考慮對(duì)EFT電場(chǎng)的抗擾能力。

當(dāng)出現(xiàn)EFT難題時(shí)（采用端口濾波和線纜增加共模磁環(huán)或屏蔽優(yōu)化不能解決），往往意味著板級(jí)小信號(hào)電路存在EFT干擾信號(hào)的敏感點(diǎn)，需要找到敏感電路源頭才能解決此類(lèi)問(wèn)題。定位敏感電路源頭常用的方法是近場(chǎng)注入和直接注入，其中利用波形發(fā)生器進(jìn)行直接注入的分析方法相對(duì)近場(chǎng)注入方法在便捷性和效率上有優(yōu)勢(shì)，可以做為EFT問(wèn)題診斷分析的通用方法。另外對(duì)EFT防護(hù)器件的性能實(shí)測(cè)也能為EFT設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供參考。

本文為電磁兼容EMC公眾號(hào)原創(chuàng)技術(shù)文章支持計(jì)劃優(yōu)質(zhì)來(lái)稿。

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